開催予定: 

第92回研究会 令和4年3月11日(金) 東京大学 HASEKO - KUMA HALL＋オンライン（webex）
文京区本郷7-3-1 東京大学工学部11号館１-２階
※感染拡大の状況により、完全オンライン開催のみに変更する可能性がございます。その場合、2月28日までに最終判断をいたします
講演会 「透明酸化物光・電子材料の創発的応用展開（第166委員会ファイナル）
          --触媒～イオン伝導体～熱デバイス：理論と実験--」
　 　
13:00～13:10 学振第166委員会の解散と新研究会の発足に関して 藤村 紀文 大阪府立大学／第166委員会委員長
　
13:10～13:50 166委員会発足からの透明酸化物の電子機能開拓の進展 細野 秀雄 東京工業大学 元素戦略センター
166委員会が発足して既に4半世紀が過ぎた。本講演ではこの間の科学と応答の進展を主に個人的な視点で振り返る
13:50～14:30 いくつかの水分解微粒子光触媒とソーラー水素実用化への課題 堂免 一成 信州大学先鋭材料研究所／東京大学特別教授室
太陽エネルギーと水から安価な水素を大量に製造できれば環境問題・エネルギー問題に大きく貢献できる。
微粒子光触媒を用いる水分解法は、大面積への展開が容易で安価な水素を製造できる可能性がある。
そのキーとなる高効率な光触媒の開発の現状と課題について述べる。
14:30～15:10 第一原理計算とニューラルネットワークポテンシャル法による高ヒドリド伝導体の伝導メカニズム解析 多田 朋史 九州大学 エネルギー研究教育機構
近年、酸水素化物ランタン化合物が高ヒドリド伝導性を示すことが実験的に見出された。
そこで、水素含有量の異なる一連の酸水素化物ランタン化合物を研究対象とし、その伝導メカニズム解析を行うべく、
第一原理計算とニューラルネットワークポテンシャル法による動力学シミュレーションを実施した。
長時間のイオン拡散シミュレーションから得られるイオン分布解析、
またフォノン分散解析等から見えてくるヒドリド伝導メカニズムについて紹介する。
15:10～15:20 Coffee break 　 　
　
15:20～15:50 透明導電膜における熱伝導と新しい熱スイッチの開発 重里 有三 青山学院大学 工学研究科
様々な機能性薄膜は、ナノ～マイクロ～ジャイアントマイクロ・エレクトロニクス、
そして様々な稼働設備から大型建造物に至るまで幅広い分野で応用されている。
これらの多くの応用分野で熱設計のための正確な熱物性値が必要とされ、さらに制御することが求められている。
透明導電膜の熱伝導から、可逆的な水素化・脱水素化によって金属と半導体の間で変化するスイッチングミラー薄膜による
薄膜熱スイッチ開発に関して解説する。
15:50～16:30 フォノン計算を活用した熱伝導の非経験予測 只野 央将 国立研究開発法人 物質・材料研究機構
近年の計算技術の進歩とアクセス可能な計算資源の増加によって、物質の熱伝導率を経験パラメータに頼らずに
第一原理的に予測することが可能になっている。本講演では第一原理フォノン計算を活用した格子熱伝導率計算の現状について、
基礎理論と応用事例を示しながら紹介する。また、これまで困難であった高温相の熱伝導率計算を可能にする最先端手法についても解説する。
16:30～17:10 アモルファス材のモーダル熱輸送解析の現状 志賀 拓麿 東京大学 工学系研究科
アモルファスは結晶とは異なり並進対称性を有していないが、異なる周波数の複数の熱キャリアが存在することが明らかになっている。
本講演ではアモルファスの熱輸送スペクトルを解析する手法、そしてアモルファスアルミナや三元系アモルファス合金、
In-Ga-Zn-Oへの適用例を通じて、質量や力場の乱れが材料全体の熱伝導に与える影響について概説する。
　 閉会挨拶 　 　
　
18:00～20:00頃 意見交換会 　 　
ルヴェ ソン ヴェール（フォーレスト本郷1階）

　

以下の研究会は終了しました

第91回研究会 令和3年11月19日(金) webexにてオンライン開催
講演会 「カーボンニュートラルに向けた水素利用を取り巻く現状と展望」
 2050年カーボンニュートラルの実現を目指し、様々な科学技術分野において革新的技術開発が求められている。
とりわけ、水素利用の普及拡大に資する技術開発は、脱炭素社会実現に向けた一つの中核的な役割を担っている。
本研究会では、水素利用を支える機能性材料やデバイス、システムを中心に、水素利用技術の現状と展望について、それぞれの分野の専門家に講演をして頂く。
13:00～13:40 水素の世界動向と産総研FREAでの再エネを活かす水素技術開発 古谷 博秀 福島再生可能エネルギー研究所研究センター
パリ協定以後、世界は急激に脱炭素に向かっている。
コロナからのグリーンリカバリーとの動きも重なり、一気にカーボンニュートラルの動きが加速している。
ここでは、カーボンニュートラルに向けた国内外の動き、そこで求められる水素の動向に加えて、
産総研福島再生可能エネルギー研究所（FREA）で行っている水素に係る研究開発を紹介する。
13:40～14:20 水素輸送・貯蔵技術：水素吸蔵材料の現状と展望 河野 龍興 東北大学／東京大学先端科学技術研究センター
水素エネルギーシステムを構築するためには、水素の貯蔵技術開発が重要である。
液体水素よりも安全で水素の充填密度が高い水素貯蔵材料は、定置型での利用や短距離輸送の水素システムに適している。
水素吸蔵材料に関する現在までの研究開発と今後の展望について発表する。
14:20～15:00 変動環境下で持続的に駆動する非貴金属酸素発生触媒の開発 中村 龍平 理化学研究所環境資源科学研究センター
太陽光エネルギーを利用した水電解水素製造は、持続可能社会の構築に不可欠である。
こうしたシステムに搭載される電極触媒には、高い活性と同時に、変動電源に対す耐久性が求められる。
本発表では、マンガン系酸化物を中心に、私たちが取り組んでいる非貴金属系の酸素発生触媒の現状と課題について報告する。
15:00～15:40 太陽光水素製造のための発電デバイス・システム 杉山 正和 東京大学
太陽光からグリーン水素を製造するためには、光から電気化学ポテンシャルを得る半導体構造、
すなわち太陽電池の高効率化が不可欠である。
これは、太陽電池と水電解を接続するシステムと光触媒に共通な課題である。
前者においては時間変動する発電量のもとで水電解装置を高効率かつ長寿命で運転するシステム技術が求められる。
光触媒においては、水／半導体界面の理解を新材料に対して深める学術的探求が必要である。
15:40～16:20 燃料電池技術：ガス拡散電極が切り拓くカーボンニュートラル社会 行天 久朗 京都大学／大阪大学太陽エネルギー化学研究センター
水素燃料電池や電気化学的カーボンリサイクル技術のコアとなるガス拡散電極技術を中心に、
そのメカニズムと構成部材に要求される機能、及びデバイス設計・プロセス、これからの課題などについて、
エネファーム開発での取り組みなどを交えながらご紹介する。
16:20～17:00 総合討論 　 　
　

　

第90回研究会 令和3年7月30日(金) webexにてオンライン開催
講演会 「ディスプレイ：業界の動き～ワイドギャップ半導体最先端技術まで」
13:30～14:20 ポストコロナのフラットパネルディスプレイ業界見通し 中根 康夫 みずほ証券株式会社
新型コロナウイルスの感染拡大は、フラットパネルディスプレイの需要に大きな影響を与えている。
WFH（Work from Home）やリモート教育、ゲーミングPC・モニタの普及などが追い風となり、
20年はノートPCで前年比+30％、モニタも二けた成長となった。テレビも巣籠り需要が後押しし、微減で終わった。
これら需要の変化は一時的なものか、構造的か。
需要急回復を受け未曽有の高騰を続けているLCDパネル価格をどう読むか。
一方の供給側では、LCDがTV向けを中心に中国メーカの覇権時代に入った。
LCDの後もLCDなのか、それとも韓国メーカなどがOLED、μLEDなどの新技術で新市場を創り上げていくのか。
最終市場、完成品ブランドの戦略、技術、地域間競争など様々な側面から分析を行っていく。
14:20～15:00 マイクロLED開発の現状と展望 藤岡 洋 東京大学
マイクロLEDは高輝度・高解像度の次世代のディスプレイとして注目を集めているが、その製造技術には多くの問題が山積している。
本講演では、マイクロLEDディスプレイの製造プロセスの現状を俯瞰的に眺め、低コスト製造技術実現のための新たな取り組みについて説明する。
15:00～15:10 coffee break
15:10～15:50 ランダム構造を用いたチューナブルなプラズモニック・メタマテリアル 岡本 晃一 大阪府立大学
ランダムに集積した金属ナノ構造は一種のプラズモニック・メタマテリアルとして機能する。
例えば金属基板上に誘電体スペーサー層を介して金属ナノ半球構造を敷き詰めたNano-Hemisphere on Mirror(NHoM)構造を用いれば、
電子線描画装置等のナノ微細加工技術を使うことなく、共鳴スペクトルを増強・先鋭化し、深紫外～赤外波長域でフレキシブルに制御できる。
このようなランダム構造を用いたチューナブルなプラズモニック・メタマテリアルは、
高効率発光素子、フルカラーディスプレイ、光センシングなど、様々な応用が期待できる。
15:50～16:30 サファイア上AlN膜の高温アニールによる高品質化と深紫外LED応用 三宅　秀人 三重大学
窒化物半導体AlGaNを用いた265-280nm発光の深紫外LEDが注目されている。
サファイアを基板に、スパッタ法で堆積したAlN薄膜を1700℃の高温アニールを行うことで、高い結晶性のAlNテンプレートが作製可能である。
本講演では、265nmLED製への応用も含めて紹介する。
16:30～17:10 超ワイドギャップ酸化物を用いたパワーデバイス研究 金子　健太郎 京都大学
巨大なバンドギャップをもつパワーデバイス用材料が注目されているが、それらは大きなバンドギャップに起因してp型層の形成が困難であるため、その開拓が重要になる。
講演者は4.2 eV以上のバンドギャップをもつp型のα-(Ir,Ga)2O3を使ったpn接合形成を報告してきた。
本講演では、それらの開拓と酸化ガリウムの社会実装までの経緯をお話しする。
また、最近得られた成果としてホモ接合によるpn形成が期待できる、全く新しい超ワイドギャップ化合物の提案とその成果についても少し御紹介する予定である。
17:10～17:40 総合討論 　 　
　

　

第89回研究会 令和3年4月16日(金) webexにてオンライン開催
講演会 「5Gシステムの動向と圧電体・強誘電体材料/デバイスの技術動向について」
13:30～14:10 5Gシステムの全体動向と材料・デバイスへの要求 渡部 慶二 株式会社富士通研究所
デジタル社会を支える5G以降のモバイルシステムのトレンドや、無線通信の高周波化に必要な材料・デバイスへの要求について、
今後の進展が期待される化合物半導体、高電子移動度トランジスタ（HEMT）技術の開発動向を交えて報告致します。
14:10～14:50 無線通信用弾性波デバイス技術と5Gに向けた取り組み 上田 政則 太陽誘電モバイルテクノロジー株式会社
スマートフォンに代表される無線通信機器のRF部分に使用されるSAWやBAWフィルタといった弾性波デバイスは
必要不可欠なキーデバイスであります。
本講演では近年の弾性波デバイスの開発技術や5Gに向けた取り組みについて報告いたします。
14:50～15:00 coffee break
15:00～15:40 強誘電体材料の最近の発展―脱ペロブスカイト構造を目指してー 舟窪　浩 東京工業大学
無機強誘電体は、圧電性や焦電性等の多くの機能があるが、従来材料はPb(Zr,Ti)O3に代表されるペロブスカイト構造と
その関連構造物質にほぼ限定されてきました。
しかし、この10年ほどの間に蛍石構造のHfO2や、ウルツアイト構造のAlNといった全く新しい種類の物質が発見されました。
本講演では、上記新規物質の特徴を明らかにし、新物質への期待について紹介いたします。
15:40～16:20 MEMS共振器における圧電薄膜 吉村　武 大阪府立大学
圧電MEMS共振器は高周波フィルタやセンシングデバイスの実現に欠かせない技術です。
成熟したとも思われがちな本分野でしたが、従来の概念から外れた強誘電体材料が相次いで発見されたことにより、
新展開を迎える可能性が出てきました。
講演では、MEMS共振器で求められる圧電体薄膜の特性を整理しつつ、今後の展望について議論します。
16:20～16:50 総合討論 　 　
　

　

第88回研究会 令和3年1月22日(金) webexにてオンライン開催
講演会 「透明導電膜薄膜の理想（教科書に書いてあること）と現実」
13:00～13:40 酸化物系透明導電膜の概要と酸化インジウム系透明導電膜の結晶化 重里　有三 青山学院大学
酸化インジウム系、酸化スズ系、酸化亜鉛系透明導電膜の概要を解説する。
また、Sn, Ga, Zn等を含むアモルファス酸化インジウム薄膜の結晶化挙動に関して、結晶化のための活性化エネルギーに注目して報告する。
13:40～14:20 依頼成膜の理想と現状：製膜を依頼するときに必要な基礎事項 石橋 啓次 株式会社コメット
弊社は、スパッタやPLDといった成膜プロセスを用いたコンビナトリアル薄膜試料作製技術を中心に、
依頼成膜やその特性評価をお引き受けしている。
本講演では、コンビナトリアル技術の紹介と、成膜依頼をされる際に考慮しておいて頂きたい
それら成膜プロセスの基本的な事柄、現象についてお話しする。
14:20～15:00 注意が必要な半導体の特性解析 神谷 利夫 東京工業大学
酸化物をはじめとするイオン性半導体のドーピングでは異価数イオンによる置換が用いられている。
また、キャリア移動度・極性の解析にはHall効果が用いられることが多い。
しかしながら、当初の期待、あるいは、単純な解析によって得られる解析結果は、必ずしも正しい現実を反映していないことも多い。
本講演では、このような例をいくつか選び、第一原理計算や電子構造計測等を併用することで正しい理解につなげていく方法について説明する。
15:00～15:40 酸化亜鉛の導電性の起源：ささやかな結論 大橋 直樹 物質材料研究機構
酸化亜鉛を中心に、酸化物半導体の導電性の起源について、考察する。
特に、単結晶を用いた分析の結果を中心に、欠陥や不純物の視点で議論する。
15:40～16:20 薄膜Si太陽電池用テクスチャー構造酸化亜鉛系透明導電膜の作成技術 宮田 俊弘 金沢工業大学
薄膜Si太陽電池の変換効率向上を目的とした、表面テクスチャー構造を有する酸化亜鉛系透明導電膜の成膜技術の紹介、
透明導電膜の安定性並びに技術的課題について解説する。
16:20～17:00 NRELコンビナトリアルスパッタリング製膜・解析システムを用いたn型SnS薄膜の実現 柳 博 山梨大学
NRELにあるコンビナトリアルスパッタリング装置・解析装置の紹介とこれを用いて実現したn型SnS薄膜について紹介する。
17:00～17:20 総合討論 　 　
　

　

第87回研究会 令和2年10月2日(金) webexにてオンライン開催
講演会 「薄型フレキシブルディスプレイの現状と今後の展望」
13:00～14:00 世界で加速するディスプレイ最先端技術開発と産業動向 北原　洋明 テック・アンド・ビズ株式会社
LCDやOLEDを中心に発展してきたディスプレイは、2020年代に入り新たな世界に向かいつつある。
５G, IoT, AIなどを背景としたNetwork時代に、新しいデバイスや新たなアプリケーションを目指すキーとなるデバイスがMicro LEDであり、
世界各地で開発が進められている。
本講演では、ディスプレイ技術と産業の全体像を俯瞰しながら、世界で繰り広げられているMicro LED開発のホットな状況をお伝えする。
14:00～14:50 I-III-VI族半導体量子ドットの液相合成とその発光特性制御 亀山 達矢 名古屋大学
量子ドットは、その発光特性がサイズに依存して変化することから、高精細ディスプレイへの応用が期待される材料である。
現在、Cdフリー量子ドットの開発を目指して多元半導体量子ドットの合成が活発に行われている。
私たちは、低毒性元素からなるI-III-VI族半導体に着目し、そのナノ粒子化と粒子組成制御によって
可視光～近赤外光領域で発光特性を自在に制御することに成功した。
本講演では、これら多元量子ドットの液相合成法を紹介し、その発光特性について議論する。
14:50～15:00 coffee break
15:00～15:50 高輝度・高解像度マイクロLEDの現状と展望 －指向性GaNマイクロLEDを中心に－ 王　学論 国立研究開発法人産業技術総合研究所
次世代のウェアラブル型情報機器のための低消費電力・高輝度・高解像度のディスプレイとして
期待されているマイクロLEDディスプレイの実現のためには発光効率が高く、高密度配列しても
画素同士の光の混ざり合いのないマイクロLEDが必要である。
我々はそのための有望なデバイスとして指向性を持つGaNマイクロLEDを提案し、その開発を進めている。
本講演では、指向性GaNマイクロLEDを中心に、マイクロLED開発の現状と将来展望について説明する。
15:50～16:40 マイクロLEDディスプレイに資するEu添加GaN赤色LEDの高輝度化と集積化 藤原　康文 大阪大学
「超スマート社会」の構築に向けて、超小型、フルカラー、高解像度マイクロLEDディスプレイの実現が強く求められている。
我々はEu添加GaNを用いた、色純度の高い赤色LEDを既に実現している。
本講演では、更なる高輝度化とRGB集積化に向けた取り組みについて紹介する。
16:40～17:00 総合討論 　 　
　

　

第86回研究会 令和2年1月17日(金) アイビーホール青学会館
講演会 「半導体酸化物ナノ粒子・薄膜プロセッシングと応用　+　若手講演会」
13:20～13:30 趣旨説明 辻 佳子 東京大学
　
13:30～14:10 WO3ナノ粒子の可視光応答型光触媒への応用 福士 大輔 東芝マテリアル株式会社
光触媒は光を吸収することで生じる電子-正孔により酸化還元反応を起こす材料である。
WO3は可視光を利用できる光触媒として、屋内の消臭や抗菌・抗ウイルス効果が期待されている。
弊社ではWO3をナノ粒子化することで、高活性な可視光応答型を合成することに成功した。
本発表ではその特性と応用例を紹介する。
14:10～14:50 無機酸化物球状多孔体の合成とその応用展開 小廣 和哉 高知工科大学
無機酸化物球状多孔体は多岐に亘る分野で極めて重要な機能材料の一つである。
しかし、これを得るには、これまで長時間反応や多段階に亘る複雑な反応操作が必要であった。
本発表では、粒径の揃った各種無機酸化物多孔体の極めて単純なワンポット－単工程の合成と
物質輸送、触媒、触媒担体等への展開についてお話しする。
14:50～15:10 coffee break
15:10～15:50 半導体微粒子分散・塗布技術による次世代太陽電池の開発 瓦家 正英 有機系太陽電池技術研究組合
次世代太陽電池 (有機系、ハイブリッド型太陽電池) は、従来型 （シリコン系） と異なる広域利用の要望に
応えうるデバイスとして注目されている 。
次世代太陽電池の研究開発経緯と電極に必要不可欠な半導体微粒子、および
その溶液分散性、塗布工程、製膜状態とデバイス性能との関係について述べる。
15:50～16:30 化粧品製剤における微粒子粉体分散系の評価および制御 那須 昭夫 株式会社資生堂グローバルイノベーションセンター
粉体の油剤中への分散性の評価は、経験的・定性的なものが多い。
特に化粧品用の紫外線散乱剤である微粒子酸化チタン・酸化亜鉛は顕微鏡による観察すらもできない。
そこで、ここでは、化粧品用微粒子の油剤への分散性を定量的に明らかにする手法を開発した結果について解説する。
さらに、制御された微粒子分散系がもたらした新たな化粧品製剤に関する応用事例についても述べる。
16:30～16:50 企業講演 　 　
16:30～16:50　原　悠介 (リンテック株式会社)
「印刷方法による薄型熱電変換モジュール」
エネルギーハーベストとしてフレキシブル熱電変換モジュールを検討している。
モジュール総厚1 mm以下を特徴として比較的低温領域（200 ℃以下）での適用を考えている。
当社では熱電半導体材料を粉砕してインク化し、印刷法にて製造している。
今回2つの標準サンプルの熱電特性と適用分野について紹介する。
16:50～17:35 若手講演 　 　
16:50～17:05　須賀 結奈 (青山学院大学大学院)
「様々な元素をドープした酸化イリジウム薄膜のエレクトロクロミック特性」
酸化イリジウム (IrO2) は、電気化学的な酸化反応により着色するエレクトロクロミック (EC) 材料として知られているが、
着色効率が低いこと、Irが高価である等の課題がある。
そこで、本研究では、Ir量を減らすため、SnやMgをドープしたIrO2薄膜を作製した。
これらの元素をドープすることで、着色効率などのEC特性が向上した。

17:05～17:20　寺島 賢人 (青山学院大学大学院)
「スイッチングミラー薄膜の高性能化」
スイッチングミラー薄膜は水素化・脱水素化により透明状態と鏡状態を可逆的に変化させることができ、様々な応用が期待されている。
しかし透明状態時の透過率などが実用化への課題となっている。
本研究ではGdやGd-Mg材料において、水素を導入した反応性スパッタにより成膜を行うことでスイッチングミラー特性の向上を確認した。

17:20～17:35　青木 優津希 (青山学院大学大学院)
「反応性スパッタ製膜したMoO3薄膜の熱物性解析」
層状構造をもつα-MoO3における積層方向の熱伝導率とそのサイズ効果に着目した。
単結晶SrTiO3(100)基板上に膜厚の異なる高配向性α-MoO3薄膜を反応性スパッタ法により作製し、
熱伝導率は表面加熱・表面測温型ピコ秒パルス光加熱サーモリフレクタンス法により評価した。
本報では熱伝導率の膜厚依存性からサイズ効果の影響について議論する。
　 閉会挨拶 166委員会委員長　藤村　紀文 大阪府立大学
18:00～ 交流会 　 　
TOEO-11 (第85回研究会) 令和元年10月7~9日 東大寺総合文化センター, 奈良
Plenary Speaker 
  • Wei Huang, Nanjing (Nanjing Tech. China)
    Oriented Quasi- 2D Perovskites for High Performance Optoelectronic Devices

Special Lecture 

  • C. G. Granqvist (Uppsala Univ., Sweden)

Invited Talks

I. Materials and Characterizations

  • G. Hautier (Univ. Catholiq Louvain, Belgium)
  • Jun Ni (Tsinghua Univ.,China)
  • Andriy Zakutayev (NREL, USA)
  • Xuedong Bai (Chinese Academy of Sciences, China)
  • Yuji Uchiyama (Spring-8, Japan)
  • Naoki Nagamura (NIMS, Japan)

II. Processes 

  • Stephanos Konstantinidis (Univ. Mons, Belgium)
  • Daniel Glos (Fraunhofer FEP, Germany)
  • Andrew Mills (Queens Univ., Belfast, UK)
  • Ali Javey (Univ. California, USA) 

III. Devices and Applications

  • Shizuo Fujita (Kyoto Univ., Japan)
  • James S. Speck (Univ. California, Santa Barbara, USA)
  • Masataka Higashiwaki (NICT, Japan) 
  • Tim Veal (University of Liverpool, England) 
  • Cui Zheng (Chinese Academy of Science, China)
  • Yoshihiko Kanemitsu (Kyoto Univ., Japan)
  • Toshiaki Arai (JOLED, Japan)
  • Toshikazu Sugiura (Toyota Motor Co., Japan)

　

第84回研究会 令和元年7月26日(金) 金沢工大虎ノ門キャンパス
愛宕東洋ビル１２階
講演会 「チュートリアル： 透明酸化物半導体中の格子欠陥の観察・評価方法」
13:00～13:20 はじめに（透明酸化物半導体中の欠陥評価の重要性） 九州工業大学　大学院工学研究院 植田　和茂
　
13:20～14:20 シミュレーションと機械学習による格子欠陥評価 東京大学 生産技術研究所　 溝口 照康
第一原理計算などの原子レベルシミュレーションは，材料中の格子欠陥を評価する上で強力な解析技術である。
近年ではシミュレーション，ナノ計測に加えて，機械学習を活用した欠陥解析法の開発も進んでいる。
本講義ではそれらシミュレーションと機械学習，さらにナノ計測を活用した格子欠陥評価の基礎と応用例を紹介する。
14:20～15:20 放射光X線吸収分光法による機能性材料に添加された
微量元素の局所構造解析		 高輝度光化学研究センター　産業利用推進室 本間　徹生
X線吸収分光法は、結晶化していない物質や、濃度が希薄な材料に対しても、局所構造や電子状態を解析できる手法として、
触媒、電池、蛍光体など様々な研究分野で利用されている。
本講演では、X線吸収分光法の原理、測定方法、分析事例および大型放射光施設SPring-8の利用方法について紹介する。
15:20～15:50 休憩
15:50～16:50 透明酸化物の電子スピン共鳴 東京工業大学　元素戦略研究センター　 松石　聡
伝導電子や正孔をもたらすドナー・アクセプター原子、着色・発光中心となる遷移金属・希土類イオンなど、
酸化物材料中の機能中心および点欠陥の電子状態を解析する手法の一つとして、
電子スピン共鳴法の基礎的な原理と実際の実験手法について紹介する。
16:50～17:50 光電子分光法を用いた仕事関数の実測と
バンドアライメント 		山梨大学　大学院総合研究部　 柳　博　
光電子分光法は化学状態の測定に威力を発揮する測定手法であるが、仕事関数、イオン化ポテンシャル、電子親和力の
測定にも用いることができる。
本講演では、仕事関数などの具体的な測定手法の詳細や様々な酸化物半導体の実測値を比較したバンドアライメントについて紹介する。

　

第83回研究会 平成31年4月19日(金) 田町キャンパスイノベーションセンター
田町駅前 東工大付属科学技術高校となり
講演会 「スマートガラス」
13:00～13:40 スマートウィンドウの基礎と応用 ナノフイルム・ラボラトリ　 永井　順一
　スマートウィンドウは、電気・光・熱などの外部からの刺激に応じてその光学的特性が変化するクロモジェニック材料を用いるものである。
今日商品化されているものには、光学的特性の変化の原理の異なるものがあり、それぞれの特性を活かして市場を形成している。
本講演ではスマートウィンドウの基礎と応用に関し、原理や構造を中心に説明する。
13:40～14:20 スマートウィンドウ開発の現状と課題 国立研究開発法人 産業技術総合研究所　 吉村和記
　高い省エネルギー効果が期待されるスマートウィンドウは、数年前に実用化され導入が始まっている。
スマートウィンドウ技術開発の現状と課題について紹介する。
14:20～15:00 塗布で実現する！可視光透過・赤外反射技術 日本ペイントホールディングス株式会社 藤田　健
　当社は赤外線を反射し、かつ透明な平板顔料を独自開発し、塗料化に成功した。
技術の基本的な考え方と応用例について紹介する。
15:00～15:30 休憩
15:30～16:10 酸化物半導体薄膜のガスセンサ応用：揮発性有機化合物の識別可能性 神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻　 北村 雅季
　酸化物半導体を使ったガスセンサの基礎から最近の研究動向について紹介します。
最近の研究の傾向として、高感度化を目的としたナノ構造を使った研究が盛んに行われており、それらについて説明します。
また、ガスの種類によるセンサ感度の違いについて述べ、ガス識別可能性について論じます。
16:10～16:50 省エネカラー表示および調光展開を目的とした電気化学素子 千葉大学大学院工学研究科　 小林 範久
　電気化学を利用した可逆的発消色挙動はエレクトロクロミズム（EC）と呼ばれ、
省エネルギー性を持つ調光窓やカラー電子ペーパーなどへの展開が期待されている。
本発表ではECを中心に電気化学を組合せた様々な素子展開について紹介する。
16:50～17:30 メタロ超分子ポリマーを用いたエレクトロクロミック調光ガラス 国立研究開発法人物質・材料研究機構 樋口昌芳
　メタロ超分子ポリマーのエレクトロクロミック特性（電気化学的酸化還元で色が変わる特性）、
及び本ポリマーを用いた調光デバイスの作製方法と機能性について紹介する。

　

第82回研究会 平成31年1月18日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「電波（電波吸収・反射、周波数フィルター：5G用途）関連技術の現状と展開」
13:00～13:40 車載用ミリ波電波吸収体の開発と応用 株式会社 新日本電波吸収体 荻野 哲
　自動車の自動運転向けにミリ波レーダーは使用されている。ミリ波電波吸収体は、これらのレーダーセンシングを正しく作動させるため、
不要な電磁波の漏れを吸収する部材とし用いられている。その技術開発と応用を報告する。
13:40～14:20 メタ表面による機能発現 東北大学、学振メタマテリアル第187委員会 石原 照也
　光の波長よりも十分に薄い金属あるいは誘電体の薄膜を、２次元パターン化することにより様々な機能を実現することができる。
基本的な考え方および最近の実例と将来への展望をお話しする。
14:20～15:00 自動車用レーダの概要と周波数資源の活用 株式会社デンソー 青木　豊
　自動車用レーダに割り当てられる周波数帯域が近年徐々に拡大されてきた。本報告では、自動車レーダの概要として、
特に測距性能と周波数帯域との関係を中心に紹介する。
　また周波数資源の有効活用という観点から、同じ帯域を使う自動車レーダの相互干渉対策を紹介する。
さらに、日米欧において自動車レーダに割り当てられてきた帯域について紹介する。
15:00～15:30 休憩
15:30～16:10 通信端末向けSAW/BAWフィルタ 太陽誘電株式会社 西原 時弘
　通信端末のRF回路には、SAW/BAW技術を使用した弾性波フィルタが使用される。
最近の通信システムにおける高周波化や周波数帯の過密化に伴い、フィルタに求められる要求もますます厳しくなっている。
本講演では、最近のSAW/BAWフィルタに必要な性能、それを実現するための技術について紹介する。
16:10～17:40 若手講演 　 　
16:10 - 16:30　電気化学用ナノ・マイクロ空間の構築と外場誘導センシング
床波 志保  (大阪府立大学/LAC-SYS研究所)
　本講演では、検出対象の表面化学構造を転写した高分子膜修飾電極を用いた電場誘導型の細菌・細胞の迅速検出法と、
規則的に配列したマイクロ細孔を持つ電極への光誘導型の有用細菌トラップ法に関する最近の研究成果を紹介する。

16:30 - 16:50　有機フラッシュメモリ用電荷蓄積材料の精密高分子設計
相見 順子 (物質材料研究機構)
　多様化する市場ニーズに伴い、有機材料を利用する有機不揮発性メモリが注目されている。
本発表では、高分子精密合成手法を用いた記録層材料の作成と有機フラッシュメモリデバイス開発について紹介する。

16:50 - 17:10　Zero-dimensional Blue-emitting Lead-free Halide with High PLQY exceeding 90%
Taehwan Jun (東京工業大学)
　Recently, metal halide perovskites such as CsPbX3 (X = Cl, Br, I) have attracted much attention for optoelectronics. 
However, there remain critical issues for practical use: toxicity of lead (Pb), low photoluminescence quantum yield (PLQY) in thin film state. 
To resolve this problem, we explored new luminescent halide materials with high PLQY. 
Herein, we broadened perspective into the Cu based halide materials with zero-dimensional (0D) crystal structures. 
This solution-processable 0D Cs3Cu2I5 exhibits blue emission (~445 nm) and extremely high PLQY of ~90% and ~60% 
for the single crystal and the thin film, respectively, which are much superior to other halide materials including Pb. 
The large exciton binding energy of ~490 meV explains well the 0D electronic nature of Cs3Cu2I5. 
Finally, we fabricated electroluminescence (EL) device using Cs3Cu2I5 thin films by spin coating 
and produced white luminescence films by mixing Cs3Cu2I5 with yellow – emitting materials. 
This study will open up a new possibility as lead free, low-cost high-PLQY emitting materials.

17:10 - 17:25 ガスバリア膜を用いたフレキシブル光触媒シートの開発
北沢侑加 （青山学院大学）
　光触媒の更なる低コスト化、軽量化、安全化および、フレキシブルディスプレイなどへの新たな技術への応用、
環境適応型製品の増加を実現するために、光触媒の下地層であるガスバリア膜の最適化を行い、
ポリマーフィルムを基材として用いた「フレキシブルTiO2光触媒シート」を開発した。

17:25 - 17:40　アモルファス酸化インジウム系薄膜の結晶化
岩﨑慎平（青山学院大学）
　アモルファス酸化インジウム薄膜の結晶化挙動は、Sn, Ga, Zn等の不純物元素を添加することにより大きく変化する。
本研究ではアモルファスITO, IGZO,およびIZO薄膜をスパッタ法により作製し、放射光を利用したin-situ XRD, XAFS等の
手法を用いて結晶化挙動に関する解析を行った。
　
18:00～ 交流会 　 　

　

　

第81回研究会 平成30年11月16日(金) 東工大蔵前会館　ロイヤルブルーホール
(東急大井町線 大岡山駅前)
講演会 「強誘電/圧電/焦電性材料の応用分野とこれからの展開」
13:00～13:40 強誘電体材料のデバイス応用と求められる材料物性 村田製作所 安藤　陽
　すべてのものがつながる社会の発展に伴い電子部品の果たす役割が極めて大きくなっている。
しかしながら電子部品を限られたスペースに設置する必要があり、部品点数の増大に伴い、個々の部品の信頼性を担保しつつ
小型化を進めることが大きな課題となっている。
また、持続可能な社会の実現に向け、電子部品にも、より安全で環境調和性の高いものが求められている。
　このような状況において強誘電体デバイスに対しどのような要求があり、どのような材料設計が必要になるのかについて、
おもにMLCC(積層セラミックコンデンサ)の高信頼化と圧電材料の環境調和化を例にとり、紹介する。
13:40～14:20 ペロブスカイト型酸化物における強誘電性の起源と、
非ペロブスカイト型酸化物における新強誘電体の設計		 名古屋大学 谷口　博基
　ペロブスカイト型酸化物における強誘電性の起源を、化学結合と配位空間の構造不安定性の観点より議論する。
また、層状シリケートや充填ゼオライトなどの非ペロブスカイト型酸化物に着目した、新しい強誘電体の設計・開発について紹介する。
14:20～15:00 元素添加によるAlN系圧電薄膜の開発 産総研 上原　雅人
　AlNは機械的性質や熱的安定性に優れた圧電体であり、そのc軸配向膜はスマートフォン用高周波フィルタとして利用されている。
また、センサーとしての特性も優れており、他のMEMSデバイスへの応用も期待されている。
Sc添加で圧電性能が飛躍的に向上することが報告されて以来、様々な元素添加に関する研究が行われている。
　本講演ではこれらの研究動向とともに我々の研究成果を紹介する。
15:00～15:30 休憩
15:30～16:10 圧電MEMSデバイスと応用に合わせた材料・プロセス開発 東北大学 吉田　慎哉
　オートフォーカスデバイスやマイクロスピーカ，超音波指紋センサなど，次の大量生産MEMSの有力候補として，
圧電MEMSデバイスが近年注目されている。そのデバイス性能は，用いられる圧電薄膜の性能に強く依存するため，
いかに高性能な圧電薄膜を得るかが，産業的競争力を得る上で重要である。
　本講演では，圧電MEMSデバイスの最新動向や，圧電薄膜に求められる特性などについて紹介する。
16:10～16:50 圧電非線形振動のモデル化と定量的評価法 東京大学 森田　剛
　強力超音波応用デバイスの研究開発の基盤技術として、圧電材料のハイパワー駆動時の非線形振動特性に関する定量的評価法を提案している。
提案手法により可能となった、非鉛圧電セラミックスを含む各種圧電材料の系統的比較検討や温度上昇を考慮した振動特性シミュレーション、
実デバイスへの応用展開について紹介する。
16:50～17:30 強誘電体材料の多様な物性を用いた新しい応用 大阪府立大学 藤村　紀文
　強誘電体は強誘電性のみならず焦電性や圧電性を示すため、これらを起源とした極めて多彩な物性を利用した多くのデバイスに応用されている。
高い誘電率を利用した積層セラミックコンデンサ、焦電性を利用した人感センサ、圧電性を利用したアクチュエータや超音波トランスデューサ、
周波数フィルタ、強誘電性は強誘電体メモリ、そして電気光学効果を利用した光スイッチングや光変調器など多くの分野で実用化されている。
しかしながら、近年これら以外に強誘電体が有している物性の新たな展開が期待されている。
　本講演では、それらの中から、光誘起現象（光起電力、THz電磁波発生）と電界誘起現象（電気熱量効果、負性容量）に絞って紹介する。

　

第80回研究会 平成30年7月20日(金) 金沢工大虎ノ門キャンパス 
愛宕東洋ビル１２階
講演会 「有機発光デバイスの現状と将来」
13:00～13:15 第20回「透明酸化物光・電子材料」第166委員会　委員総会 　 　
13:15～13:55 有機ELディスプレイ・照明技術の最新動向と将来展望 山形大学 菰田 卓哉
　有機エレクトロニクス技術は確実に生活を変革する基盤技術になる。その代表格が有機ELである。
将来テレビは壁紙のような形になり、小さく折り畳みができたり、くるくる巻き上げることもできるようになるだろう。
こんな夢物語が実現できるようになる日も近いうちにやってくる。また、有機ELは照明をも変える。
人類が今まで手にしたことのない、平面で発光する光源デバイスなので、大面積化が可能であり、紫外線レス、水銀レスという点で、境にもやさしい。
また、近年の材料・デバイス技術の進展により、LEDを超える高効率、長寿命が期待できるものになってきた。
　本講演では、有機ELの最新技術開発動向及び将来展望について議論する。 
13:55～14:35 JOLEDにおける次世代有機ELディスプレイ製造技術 （株)JOLED CTO室 荒井 俊明
　有機ELディスプレイは、これまでにない高い画質と薄型・軽量化によりスマートフォンやTVとして使用されるようになってきたが、
その製造技術は未だ発展途上の段階にある。
　本講演ではJOLEDの提案する印刷法を用いた次世代製造技術と、その市場展開について紹介する。
14:35～15:15 逆構造OLEDを可能にする新しい透明アモルファス半導体 東京工業大学 細野 秀雄
OLEDの理想の構造は、逆積みトップエミション型。特に大型OLED用にはnチャネルTAOS－TFTでしかバックプレーンができないので、
安定性の点からも逆構造が望ましい。これを可能にする電子輸送層、注入層、そして正孔注入・輸送層として働く透明アモルファス半導体を開発した。
15:15～15:45 休憩
15:45～16:25 フラットパネルディスプレイ産業の行方 みずほ証券 中根 康夫
　液晶、有機ELなど異なる方式のディスプレイ間の技術競争、中国、韓国、日本など異なる国家・地域間の企業競争、
Apple、Samsung、Huaweiなどディスプレイを使用するグローバルブランド間の競争、主要材料、装置などバリューチェーンの競争、など、
さまざまな切り口でディスプレイ産業の現況、将来を分析し、今後の方向性についての見解を詳述する。
16:25～17:05 ペロブスカイト発光デバイスの魅力 京大 金光 義彦
概要：室温において100%に近い発光効率を持つハロゲン化金属ペロブスカイトの新しい 
発光材料・デバイスとしての特性を紹介する。

　

第79回研究会 平成30年4月20日(金) 田町キャンパスイノベーションセンター
田町駅前 東工大付属科学技術高校となり
講演会 「計算機材料科学の最前線（電子構造、薄膜・ナノ粒子成長、組織設計、プラズマ）」
13:00～13:40 バンド計算の現状と展望 大阪大学　産業科学研究所 小口　多美夫
量子力学の固体結晶系への応用として始められたバンド理論は、密度汎関数理論を皮切りに、計算機能力の向上と関係計算手法の開発によって
第一原理計算として大きく発展してきている。特に、具体的な物理量の計算は実験観測量の解釈に使われるだけでなく、
物性予測や物質デザインの研究につながってきた。最近は、データ科学手法との連携から物質探索や物性の最適化に向けた研究が活発し、
陰に潜む法則性を抽出する試みにまで展開している。これらバンド理論の発展の経緯と現状を概観し、今後の展望を語りたい。
13:40～14:20 ナノ液体構造に基づく金属酸化物の材料設計とプロセス制御 北陸先端科学技術大学院　マテリアルサイエンス研究科 下田　達也
有機金属を原料にした金属酸化物の液体プロセスにおいて、クラスターゲルと呼ぶ中間構造体を得ることで材料設計が容易となり液体プロセス性が向上する。
InOを例として解説する。
14:20～15:00 フェーズフィールド法に基づく機能材料組織設計 名古屋大学　工学研究科 小山　敏幸
フェーズフィールド法を軸足に、材料の内部組織シミュレーションと特性解析を通じて、組織形成の本質的理解と、先進材料の改良・最適化を実現する
材料設計計算工学の確立を目指している。
本発表では、磁性材料の組織形成と磁気特性、また強誘電材料の分極ドメイン組織形成と誘電特性など、各種機能材料における研究成果について紹介する。
15:00～15:30 休憩
15:30～16:10 量子分子動力学法に基づくCVD成長シミュレータの開発と応用 東北大学 金属材料研究所 久保　百司
量子論に基づくことで化学反応を含む結晶成長プロセスを解明可能なシミュレータの開発と太陽電池の結晶成長プロセスへの応用について講演を行う。
16:10～16:50 薄膜生成・加工のためのドライプロセスシミュレーション ペガサスソフトウェア(株) 田中　正明
PEGASUSのモジュール概要、プラズマを使用したPVDプロセスとして対向型マグネトロンスパッタ装置シミュレーション、 
そしてCVDプロセスとしてa-SiN:H膜成膜シミュレーションを紹介する。

　

第78回研究会 平成30年1月26日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「蛍光体、市街発行の最前線」
13:00～13:40 プラズマ励起タイプの紫外線蛍光体・水銀フリー光源の開発と医療応用 神戸大 喜多 隆
概要：紫外光源は広く利用されていますが、現在の紫外ランプは有害な水銀を含んでおり、水銀条約において規制されます。
われわれは水銀フリーの紫外光源に使える希土類添加材料の開発を行っており、特に、310nmにおいて1nm以下の狭線幅で発光するGd3+イオンに注目しています。
プラズマ発光線で励起した紫外線蛍光体は医療で用いることができるレベルの発光強度を実現しました。
13:40～14:20 エキシマランプ(VUV)励起タイプの紫外発光蛍光体の探索 学習院大 稲熊 宜之
紫外線は、殺菌、医療、表面改質等の分野で広く利用されている。これらの用途において一般的に水銀ランプが紫外光源として用いられているが、
環境への配慮からその代替が望まれている。
本発表では、キセノンエキシマランプ（l =172 nm）等の真空紫外光源（VUV光源）を励起源とする紫外発光蛍光体について当グループで行なってきた物質探索を中心にお話します。
14:20～15:00 蛍光体の最近のトレンド 東京化学研究所 岡本 慎二
蛍光ランプや非常口案内板、液晶テレビ、LEDランプや放射線のモニタリングなど、あらゆるところで蛍光体が使用されていて、
その用途は年々多様になってきている。
本講演では、蛍光体における最近の話題を、特に近年進展著しいLED用蛍光体を中心に解説する。
15:00～15:30 休憩
15:30～16:10 EUVリソグラフィ技術の現状と残された課題 元 ギガフォトン(株) 岡崎 信次
次世代のリソグラフィ技術として、EUVリソグラフィ技術が注目されている。本技術は、13.5nmのEUV(極端紫外線)を利用するもので、
多層膜を用いた反射光学系により、現状のArF露光法と同様に、縮小投影露光法が用いられる。
光源、露光装置、マスク、レジスト材料等、それぞれ特異な要素技術の確立が必要で、本格的な技術開発が開始されて以来20年、
やっと実用化の目処が立ってきた。
最近の開発状況を報告すると共に、残された課題を紹介する。
16:10～17:25 学界委員関係 若手研究者講演 　 　
16:10 - 16:35 透明両極性半導体のデザインコンセプト ~正方晶ZrOSを例にして~
飯村 壮史 (東京工業大学 フロンティア材料研究所)
概要: 結晶中の化学結合は固体のバンド構造に大きな影響を与える。
従来典型的な絶縁体と考えられてきた前周期遷移金属化合物においても化学結合を工夫することにより両極性ドーピングに適したバンド構造を得ることが可能である。
本講演では正方晶ZrOSを例にとり、第一原理計算を用いた電子構造、化学結合状態の解析と実験から明らかにした両極性半導体としての特性について紹介する。

16:35 - 17:00 分子接合による無機層状半導体の物性制御
桐谷 乃輔 (大阪府立大学 工学研究科)
概要: 近年数原子膜厚の無機層状半導体が注目されている。本発表では分子を無 機層状半導体表面へ接面させることでみられる電子・光学特性の変化について議論をさせて頂く。
これまでに、代表的な層状材料であるMoS2について、酸化還元活性分子の接合による電子移動（キャリア注入）およびフォトルミネッセンスの大幅な上昇（量子収率~100%）を見出している。

17:00 - 17:25 大規模第一原理計算手法による材料シミュレーション
中田 彩子 (物質材料研究機構)
概要: 第一原理DFT計算では実験データに基づかずにエネルギーや原子に働く力を計算することが可能であり、
現在様々な材料の構造探索や安定性、反応性の解析、予測に応用されている。
DFT計算は計算コストが高いため大規模なシミュレーションモデルを取り扱えないという問題があるが、
この問題を克服するため我々は大規模系に特化したDFT計算手法の開発に取り組んでいる。
本発表では、第一原理計算の現状と、我々の大規模第一原理計算手法について紹介する。
18:00頃～ 交流会 　 　
　

　

第77回研究会 平成29年11月17日(金) 金沢工大虎ノ門キャンパス 
愛宕東洋ビル１２階
講演会 「HIPIMS (high -power impulse magnetron sputtering) の現状と今後の課題」
13:00～13:15 総会 大阪府立大学 藤村 紀文
13:15～13:55 Modulated Pulse Power方式HIPIMSの特長 ティー・ケイ・エス合同会社 清水 博康
Modulated Pulse Power方式HIPMSでのターゲット材料高イオン化のメカニズムならびにプロセス結果について解説する
13:55～14:35 ハードコーティング分野におけるHIPIMSの応用とその周辺技術 (株) 神戸製鋼所 高橋　哲也
切削工具や機械部品などのハードコーティング分野におけるHIPIMS技術について紹介する。
また、代表的な成膜手法であるアークイオンプレーティング法とのプラズマ特性や皮膜特性を比較し議論する。
14:35～15:05 Titanium based decorative coatings properties control utilizing pulse shaping in state-of-the-art HIPIMS technology トルンプ・ヒュッティンガ(株) Pawel Ozimek
1. Challenges in reactive HIPIMS processes
2. Focus on stability in hard coatings
3. Power source as process stability supporting tool　
15:05～15:30 休憩
15:30～16:10 ミニマルファブのためのHIPIMS装置の小型化 産総研　
製造技術研究部門		 小木曽 久人
ミニマルファブでは各プロセス装置筐体を規格化しており、W296, H1440, D450の小型プロセス装置を作らなければならない。
ミニマルファブ用のスパッタ成膜装置を作るにあたり実施したHIPIMSシステムの小型化のための取り組みについて述べる。
16:10～16:50 有機EL（OLED)膜上への電極構築のための低ダメージスパッタ法 東京工芸大学　工学部 内田　孝幸、星　陽一
　スパッタ法はプラズマを用いた高エネルギープロセスであるため、良質な薄膜すなわち膜の密度が高く基板への付着力が強いなどの利点がある。
その一方、無機材料と比べ耐熱性が一般に低い有機材料上にスパッタ成膜を適用する場合、
下地有機材料表面層への影響を十分に考慮することが必要である。
　本講演では、これらのダメージの要因を探ると伴に、それらを回避しスパッタダメージがほとんどない製膜法について解説する。

　

第76回研究会 平成28年7月3日～4日 早稲田大学国際会議場
国際会議 http://conf.msl.titech.ac.jp/Conference5/TOEO10/wiki/

　

第75回研究会 平成29年4月21日(金) 田町キャンパスイノベーションセンター
田町駅前 東工大付属科学技術高校となり
講演会 「新発光材料・デバイスの最前線」
13:00～13:40 蛍光体の基礎と最近の技術動向 三菱ケミカル株式会社 
新エネルギー部門
エネルギ―変換デバイス部材本部 LEDマテリアルズ事業部		 久宗 孝之
本講演では、はじめに蛍光体の発光メカニズムや応用範囲など基礎的な概説 をする。
次に、最近のLCDの高色再現化に対応した狭帯域蛍光体の開発や、
LEDのハ イパワー化に対応した蛍光体のセラミックコンポジット化等について紹介する。
13:40～14:20 Cdフリー量子ドット蛍光体の進展と展望 慶應義塾大学　
理工学部　応用化学科		 磯部 徹彦
コア／シェル型CdSe/ZnS量子ドットが普及したのち、毒物元素Cdを含まない量子ドットとして
CuInS2/ZnSやInP/ZnSなどが開発されている。
本講演では、Cdフリー量子ドットの合成法、蛍光特性、耐光性や応用の進展と今後の展望について解説する。
14:20～15:00 有機ELにおけるフレキシブル化・塗布プロセスの研究 山形大学　工学部　
有機エレクトロニクスイノベーションセンター		 硯里 善幸
有機ELは、フレキシブル化・塗布プロセスによる作製が可能である。
本講演 では、当研究室のフレキシブル化技術および、塗布プロセスにおける膜形成の観察に ついて紹介する。
15:00～15:30 休憩
15:30～16:10 窒化アルミニウム単結晶基板上深紫外LEDの特性とその応用 旭化成株式会社　
UVCプロジェクト		 久世 直洋
Crystal IS社で開発してきた窒化アルミニウム（AlN）単結晶基板の特性を紹介し 
さらにそのAlN基板上に形成された深紫外LEDの性能とその殺菌応用について報告する。
16:10～16:50 スパッタリングを用いたGaNの可能性 東京大学　生産技術研究所 藤岡 洋
スパッタリング法を用いたGaN素子開発の現状を俯瞰的に解説する。
また、その 表示素子など、大面積素子への応用の可能生について議論する

　

第74回研究会 平成29年1月27日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「新無機半導体材料と製膜方法」
13:00～13:05 あいさつ 東京工業大学 神谷 利夫
13:05～13:45 ALDプロセスの理想と現実～プロセス開発の要点 東京大学 マテリアル工学専攻 霜垣 幸浩
　
13:45～14:25 高機能ALD装置への取り組み オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社
プラズマテクノロジー事業部		 田口 俊彰
　
14:25～14:45 企業委員講演 　 　
リンテック  河原 準
　「印刷型エレクトロクロミックディスプレイ」
14:45～15:15 学界委員関係 若手研究者講演 　 　
賈 軍軍
　青山学院大学 助教
　「In2O3(ZnO)m薄膜の熱電特性及び評価方法」
大澤 健男
　物質・材料研究機構
　「ドメインを導入したBaTiO3単結晶の異方的電気伝導性と局所電子状態」
15:15～15:45 休憩
15:45～16:25 酸窒化物半導体薄膜の成長 東京大学 長谷川 哲也
　
16:25～17:05 アニオン置換によるＳｎＳのｎ型伝導 山梨大学 柳 博
新たな太陽電池用半導体材料としてSnSが注目されている。SnSの課題はn型化が困難であることであった。 
本講演では、SnSバルク試料を用いて行ったアニオンドーピングよるSnSのn型化について紹介する。
17:05～17:35 学界委員関係 若手研究者講演 　 　
Junghwan Kim
　東京工業大学　元素戦略研究センター　助教
　「新規アモルファス酸化物の開発および新たな応用開拓」
曹祥
　中部大学 大学院 工学部 応用化学科
　「Preparation and Characterization of Earth-Abundant Element Based Nitride Semiconductor: ZnSnN2」
18:00頃～ 交流会 　 　
　

　

第73回研究会 平成28年11月4日(金) 金沢工大虎ノ門キャンパス 
愛宕東洋ビル１３階フロア
講演会 「ワイドギャップ機能材料最前線: コンピュータ支援材料設計から応用まで」
13:00～13:40 材料設計に向けたデータベースからのアプローチ 国立研究開発法人
産業技術総合研究所		 山下 雄一郎
未知なる優れた特性を有する材料の探索手法として、マテリアルズイン フォマティクスが大きな注目を集めている。
本講演では、熱物性分野におけるデー タベースを中心とした材料探索の実現に向けた取組みについて紹介する。
13:40～14:20 第一原理計算による半導体の物性予測と物質探索 東京工業大学 大場　史康
近年の第一原理計算手法の進展により、半導体の物性が高い精度で予測できるようになってきた。 
本講演では、その現状と新物質の探索・物性予測への応用を紹介する。
14:20～15:00 プラスチック基板を用いた液晶ディスプレイの開発 ジャパンディスプレイ 兵頭洋祐
現在、ディスプレイは機能性、安全性、デザイン性の面から 薄い、軽い、割れない、曲がるといった特性が要求されている。
 これらの特性を備えたプラッチック基板の液晶ディスプレイ開発 について紹介する。
15:00～15:30 休憩
15:30～16:10 次世代自動車に求められる機能と材料への期待 トヨタ自動車株式会社 鵜飼順三
現在のクルマ社会は、電動化・知能化をはじめとした一大変革期を迎えており、材料技術の果たすべき役割は大きい。
次世代自動車の機能と材料への期待を概説する。
16:10～16:50 低温スパッタによる低抵抗ITO膜の開発 株式会社アルバック 大野幸亮
近年のスマートフォンなどに使用されているタッチセンサー電極 (ITO) ではデバイス構造上、
温度に制約があり低温成膜で良質な電気特性が求められている。
本講演では上記課題の実現に向けたアプローチと結果について紹介する。

　

第72回研究会 平成28年7月15日(金) 田町キャンパスイノベーションセンター
田町駅前 東工大付属科学技術高校となり
講演会 「チュートリアル: スパッタリングの基礎と新しい製膜法」
13:00～13:15 総会 東京工業大学 神谷 利夫
13:15～14:15 反応性スパッタリング、バイポーラ or ユニポーラ
パルススパッタリング、ガスフロースパッタリングの基礎と応用		 青山学院大学 重里 有三
　
14:15～15:00 Reactive Plasma Deposition (RPD) の基礎と応用 住友重機械工業株式会社 北見 尚久
Reactive Plasma Deposition 装置は，圧力勾配型プラズマガンとプラズ マビーム修正装置を有するイオンプレーティング装置である．
RPD 装置の 特長として，基板への飛来金属粒子のイオン化率が90%以上であること， その入射エネルギーを 70eV 以下で
制御可能であることが挙げられる．
　本講演では，RPD 装置の原理・概要，得られる ITO や GZO 等の透明導 電膜の特長，
飛来粒子種の解析結果および産業展開について紹介する．
15:00～15:30 休憩
15:30～16:20 高密度プラズマの基礎から応用まで 大阪大学 節原 裕一
　
16:20～17:10 大気圧プラズマプロセスの基礎とそのデバイスプロセス応用 名古屋大学 堀 勝
　
17:10～18:00 Mist CVD法の基礎と応用 佐賀大学 大島 孝仁
近年酸化物エピタキシーで注目されているMist CVDについて，
ミスト生成から薄 膜成長までの原理を解説し，その適用性や最新の報告について紹介する．

　

第71回研究会 平成28年4月22日(金) 田町キャンパスイノベーションセンター
田町駅前 東工大付属科学技術高校となり
講演会 「ディスプレイとIoT関連技術の現在と将来」
13:00～13:40 IoTに向けた通信・ソリューションの開発 村田製作所 佐藤 武史
　
13:40～14:20 IoTに向けたセンサ、センサネットワークからヘルスケアまで ローム株式会社 奥 良彰
　IoT世界の入り口のデバイスはセンサである。トリリオンセンサに代表されるように
大量のセンサがネットワークでつながり、暮らしの省エネから快適性・安全性を高めていく。
さらには、ヘルスケア・メディカルがつながり生活の質が高まっていく。 
　本講演では、各種センサとセンサネットワークへの取り組み、ヘルスケアに必要な常時モニタリングについて紹介する。
14:20～14:50 休憩
14:50～15:40 離陸するOLED：中小型はAppleが、大型はLGDとSDCが鍵に みずほ証券 中根康夫
　OLED市場が立ち上がりつつある。
中小型は完成品ブランドであるAppleのiPhoneへの採用（早ければ17年のiPhone7S）を機に、
大型は、完成品ブランドではなく、中国パネルメーカーとの競争回避もありLG Displayがパネルメーカーとして本腰を入れ始めている。
後はSamsung DisplayがTV向けで再参入するか否かがポイントとなる。
　本講演では、スマートフォン、タブレット、車載、PC、テレビなどの主要アプリケーションや主要ブランドの視点、
パネルメーカーの視点、そして日本・韓国・台湾・中国など地域間競争の視点、などから、
フラットパネルディスプレイ業界全体やOLED業界全体の現状分析と今後の動向予想を行う。
15:40～16:20 有機EL蒸着装置の最新技術および動向 キヤノントッキ株式会社 松本 栄一
有機ELはスマートフォンやテレビなどの製品化が進み大きな躍進期を迎 えている。
本講演では有機EL蒸着装置の最新技術や技術動向を紹介する。
16:20～16:50 酸化物薄膜・ディスプレイ関連技術の話題 東京工業大学 神谷 利夫
酸化物薄膜・デバイス・ディスプレイの研究・開発について、最近のニュースや学界の報告を紹介する。

　

第70回研究会 平成28年1月29日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「産学における透明酸化物材料研究最前線」
13:00～13:05 あいさつ 東京工業大学 神谷 利夫
13:05～13:50 有機無機ペロブスカイトを用いる太陽電池の最新動向と高機能化 桐蔭横浜大学 
工学部・大学院工学研究科		 宮坂 力
　
13:50～14:20 学界委員関係 若手研究者講演 　 　
鈴木一誓
　大阪大学　博士後期課程3年 (2016/3修了予定)
　「新しいナローギャップ酸化物半導体の探索：多元系ウルツ鉱型化合物」
Stelian Arjoca
　早稲田大学 ナノ理工学専攻　博士後期課程3年 (2016/9修了予定)／NIMSジュニア研究員
　「Single Crystal Phosphors for High-Brightness White LEDs and LDs」
14:20～14:50 Reactive Rotary cathode System （RRシステム） の開発とその応用 キャノントッキ 青沼大介
反応性スパッタリング法において、ターゲット利用効率、膜厚均一性 Depo. Rate安定性に優れた、カソードシステムを開発したので紹介する。
また、その応用事例、周辺付帯技術についても解説する。
14:50～15:20 学界委員関係 若手研究者講演 　 　
須古彩香
　青山学院大学 理工学研究科
　「アモルファスのIGO, IZO, IGZO薄膜の結晶化挙動」
Xiuwei Fu
　早稲田大学 ナノ理工学専攻　博士後期課程3年 (2016/9修了予定)／NIMSジュニア研究員
　「Piezoelectric Ca3TaAl3Si2O14 (CTAS) Single Crystals for High Temperature Sensors」
15:20～15:50 休憩
15:50～16:30 欧州の高透明ガスバリアフィルム関連技術動向 （株）サーフテックトランスナショナル代表
フラウンホーファーＦＥＰ日本代表		 鈴木巧一
欧州のフレキシブルエレクトロニクスの２大開発拠点であるドイツ、ドレスデンとオランダ、アインドホーベンに注目し、
高透明ガスバリアフィルムの作成技術としてフラウンホーファーFEPの反応性パルススパッタとMeyer Burgerの
Microwave PECVD及び高速ALDを、評価技術としてフラウンホーファーIWSの水蒸気透過率測定装置を、
応用としてFEPのフレキシブ有機EL照明を紹介します。
16:30～17:00 学界委員関係 若手研究者講演 　 　
井手啓介
　東京工業大学 応用セラミックス研究所 助教
　「アモルファスIn-Ga-Zn-Oの過剰酸素と欠陥 (仮)」
長田　貴弘
　国立研究開発法人 物質・材料研究機構 (NIMS) 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 (MANA) 研究者
　「ワイ ドバンドギャップ半導体表面の硬X線光電子分光評価(仮)」
17:00～17:40 フレキシブルハイガスバリアフィルムと封止粘接着材料の開発 リンテック株式会社 永元 公市
　
17:40～17:55 学界委員関係 若手研究者講演 　 　
竹井　邦晴
　大阪府立大学　電子数物系専攻　助教
　「無機ナノ材料及び酸化物半導体薄膜を用いたフレキシブルデバイス開発」
18:00頃～ 交流会 　 　
　

　

第69回研究会 平成27年10月19日～21日 つくば国際会議場
国際会議　http://conf.msl.titech.ac.jp/Conference5/STAC9-TOEO9/

　

第68回研究会 平成27年7月17日(金) 田町キャンパスイノベーションセンター
田町駅前 東工大付属科学技術高校となり
講演会 「酸化物電子材料の最近の展開」
13:00～13:15 総会 青山学院大学 重里 有三
13:15～14:00 光電子放出を用いた仕事関数・電子構造測定 千葉大学 先進科学センター 石井 久夫
光電子放出を利用する紫外光電子分光(UPS)や光電子収量分光(PYS)は材料の仕事関数、
イオン化エネルギーを始めとする電子構造測定に広く用いられている。
本講演では、その測定原理と実験装置などについて概説した後、
金属や透明酸化物材料の仕事関数の測定例を紹介する。
さらに、ITO電極と有機半導体の接合界面の電子構造の測定結果、
ほぼppmレベルに高感度化したUPSで電極や半導体材料を観察した結果などについても
紹介する予定である。
14:00～14:30 低仕事関数酸化物電極を用いた有機EL (仮) 東京工業大学 細野 秀雄
　
14:30～15:00 休憩
15:00～15:40 薄膜の機械特性評価法 (国研)産業技術総合研究所 工学計測標準研究部門 服部 浩一郎
薄膜の機械特性評価を行うツールとして、ナノインデンテーション法は、簡便であることから広く使われている。本講演ではその概要と、圧子の形状、また接触点などの測定の際に注意すべきこと等、実例を示しながら紹介するとともに、比較的新しい表面弾性波法についても紹介する。
15:40～16:10 遷移金属系TCO薄膜への電気化学ドーピング 東京工業大学 大友 明
遷移金属からなる電気伝導性酸化物は、透明導電膜やスマートウィンドウにおけるエレクトロクロミック材料としての応用が
注目されている。元素置換によるキャリアドーピングに比べて、電気化学反応によるドーピングの効果は、
基礎物性との関連においてあまり知られていない。
本講演では、ドーピング前後の結晶構造や伝導率の変化について解説する。
16:10～16:40 酸化物ナノワイヤのバイオ・医療応用
細胞・遺伝子・エクソソーム解析からがん超早期診断へ		  名古屋大学　大学院工学研究科・先端ナノバイオデバイス研究センター
産業技術総合研究所　健康工学研究部門		 馬場 嘉信
本講演では、内閣府・ImPACT、経産省・NEDO最先端の次世代がん診断システム開発で進めている、
酸化物ナノワイヤ・ナノポア1分子DNA シークエンシング、酸 化物ナノワイヤによる単一がん細胞計測に
基づくがんの超早期診断、酸化物ナノ ワイヤによるエクソソーム・マイクロRNA解析によるがん診断の成果など、
酸化 物ナノワイヤのバイオ・医療応用について解説する。

　

第67回研究会 平成27年4月24日(金) 田町キャンパスイノベーションセンター
田町駅前 東工大付属科学技術高校となり
講演会 「チュートリアル： TCOの作り方と評価方法」
　本チュートリアルでは、「透明導電膜の技術 改訂第３版 （オーム社）」を
テキスト (副読本) とします。　
　通常、学振研究会への参加は会員のみに限定されていますが、
本チュートリアルでは、下記要領で一般参加者も募集します。

申し込み方法： こちらの申込書に必要事項をご記入の上、神谷利夫 (tkamiya@msl.titech.ac.jp) までお送りください。　

一般参加者 参加費： １８，０００円／名 （「透明導電膜の技術 改訂第３版」を含まない）
学生参加者 参加費： 　５，０００円／名 （「透明導電膜の技術 改訂第３版」を含まない）

企業会員： 同一会員企業から、５名あるいは「透明導電膜の技術 改定第３版」購入数の
　　　　　　　人数まで参加無料
　
13:00～13:05 はじめに 東京工業大学 神谷 利夫
13:05～13:55 透明導電性酸化物の作り方  コメット 石橋 啓次
透明導電性酸化物薄膜の作成方法について概説し、工業的に最も使用されている
ITOのスパッタリング法による成膜に関し、パラメータに対する基本特性について説明する。
またスパッタリング法の基礎と注意点についても言及する。
　 「透明導電膜の技術 改訂第３版 （オーム社）」、および、当日配布の補足資料を使って講義を行う。
　 時間調整 　 　
14:05～14:55 透明導電隊の電気特性評価法 (独)物質・材料研究機構 
光材料センター　光電応答グループ		 大橋 直樹
　
14:55～15:25 　
15:25～15:50 大気中での仕事関数の評価 理研計器株式会社 中島 嘉之
透明導電膜を有機EL、有機太陽電池等プリンタブルデバイスの電極として用いる 際には
仕事関数が重要である。
この測定に最も広く利用されている大気中光電子収量分光法の測定原理とITO等の測定例を紹介する。
　 時間調整 　 　
15:55～16:20 分光エリプソメトリーによる薄膜の光学特性評価 株式会社堀場製作所 森山 匠
分光エリプソメトリーは、薄膜の膜厚、屈折率、消衰係数を求める分析手法です。
また、バンドギャップ、電気特性、結晶化率といった物性の評価も可能です。
本発表では、分光エリプソメトリーの原理、および透明導電膜を中心に評価事例を説明いたします。
　 時間調整 　 　
16:25～16:50 透明導電膜の熱物性の評価法 産業技術総合研究所 八木 貴志
透明導電膜の熱伝導率はその電気特性と密接な関係にあるだけでなく、
近年注目される熱電特性を決める上で必要となる物性値です。
ここでは、透明導電膜の熱伝導率を求めるための具体的な測定手法や試料の作製方法について、
評価事例に基づきながら説明を行います。
　 時間調整 　 　
16:55～17:40 アモルファス酸化物半導体の製膜条件と物性 東工大 神谷 利夫
代表的なアモルファス酸化物半導体 (AOS) である In-Ga-Zn-O を中心に、
AOSをスパッタリングで作製する際の製膜条件と膜物性、構造、薄膜トランジスタ特性の
関係について説明する。
質問がなくなったら終了
(18:00までには終了) 		総合質問・議論 東工大 神谷 利夫
事前に寄せられた質問、講義中に回答のなかった件について回答をするとともに、
今回の講義内容に限らず、透明導電体全般に関わる質問を受け付ける。

　

第66回研究会 平成27年1月30日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「透明電子機能薄膜最前線」
13:00～13:05 あいさつ 東京工業大学 神谷 利夫
13:05～14:00 多結晶ZnO系透明導電膜の現状：結晶粒界の影響及び応用上の問題点 金沢工業大学 南 内嗣
多結晶ZnO系透明導電膜の電気特性及び光学的特性に関する最近の研究を基礎物性及び用途適合性の
両面から紹介する．特に，AZO薄膜を中心にこれらの特性に及ぼす結晶粒界の影響について述べる．
14:00～14:40 不純物添加結晶化法による高品質ZnO薄膜の形成 九州大学 大学院 
システム情報科学研究院 
情報エレクトロニクス部門　		 板垣 奈穂
スパッタリング法を用いたZnO薄膜の結晶成長において，初期核形成を制御する新しい方法
「不純物添加結晶化(IMC)法」を開発した．
本手法により，高格子不整合基板上へのZnO単結晶膜の作製や，ガラス基板上への
極薄低抵抗ZnO導電膜の形成が可能となった．
本講演では，IMC法について説明するとともに，IMC法により創製したZnO系新材料について紹介する．
14:40～15:20 新規蛍光体を使った高色再現ＬＥＤ開発
次世代液晶ディスプレイ向け光源の開発		 シャープ株式会社電子デバイス事業本部 植村 豊徳
これまで液晶バックライト向けＬＥＤはＹＡＧ蛍光体と言われる黄色蛍光体と青色ＬＥＤの組み合わせが主であったが、
サイアロン系の緑蛍光体と今回波長幅の狭い赤色蛍光体を使用したＬＥＤを開発した。
本手法により、液晶としてのバックライトの色再現域が飛躍的に向上し、有機ＥＬやＱＤのような他技術に
対抗する新しいLEDバックライトの提案が可能となった。
本講演ではそのＬＥＤの仕組みについて紹介する。
15:20～15:50 休憩
15:50～16:30 Ga2O3基板上GaNエピ成長とそのLED応用 タムラ製作所  飯塚 和幸
　
16:30～17:10 GaNを用いた窒化物半導体赤色LEDとその高輝度化 大阪大学 工学研究科  藤原 康文
　
17:10～17:50 企業委員講演 　 　
リンテック株式会社　古屋 拓己　「フレキシブルハイガスバリアフィルム」 
帝人株式会社　　　　武久 慶太　「会社紹介」
18:00～ 交流会 　 　
　

　

第65回研究会 平成26年10月31日(金) 田町キャンパスイノベーションセンター
田町駅前 東工大付属科学技術高校となり
講演会 「先端技術の中の新材料」
13:00～13:55 高性能蓄電デバイス創製に向けた革新的基盤研究 東京大学 水野 哲孝
低コストで安全性の高い大規模エネルギー貯蔵システムの開発が強く求められている。
本講演では、「高性能蓄電デバイス創製に向けた革新的基盤研究」において我々が開発した
三種類の新しい電池 （① 金属酸化物中の酸素がトポタクティックに出入りする材料を両電極で
用いた酸素ロッキング電池、② 同様な反応を正極反応として利用することでリチウムやナトリウムなど
様々な負極が使用できるマルチ負極対応型のデュアルイオン電池、
③ 固体内酸素のレドックスを利用する高エネルギー密度の金属－過酸化物電池)
について原理、反応、特性について 解説する。
13:55～14:50 強誘電体薄膜の作製と圧電MEMSへの応用 独立行政法人　産業技術総合研究所
エネルギー技術研究部門		 飯島 高志
薄膜作製技術の向上によりPZT薄膜などを用いたアクチュエータやトランスデューサなどの
圧電MEMSデバイスが注目されている。
本講演では、圧電MEMSを実現するための要素技術（厚膜作製、圧電特性評価、大面積化など）から
デバイス応用までについて概観する。
14:50～15:20 希土類含有セラミックスナノ粒子を用いた
近赤外蛍光バイオイメージング		 東北大学 兵藤 宏、曽我 公平
生体内物質を可視化する蛍光バイオイメージングは、バイオメディカル分野の研究や診断において不可欠な技術である。
通常、蛍光バイオイメージングには可視蛍光が用いられるが、生態透過性の高い近赤外光を用いることで、
1cm程度の動物組織を透過した深部の観察が可能となる。
本講演では、我々が行っている材料開発、システム設計、医療応用について紹介する
15:20～15:50 休憩
15:50～16:00 医療機器に使われている酸化物材料 独立行政法人 物質・材料研究機構 島村 清史
シンチレーターは医用において重要な役割を果たす材料であり、本研究会では X線CTとPET用の詳しい解説が行われる。
これに先立ちシンチレー ターの概要と開発の歴史、今後の展望などについて概説する。
16:00～16:25 X線CT用シンチレーター 日立金属 (株) 新田 英雄
X線CT装置は医療用画像診断に欠かせない装置の一つである。この装置の検出器にはシンチレータが用いられており、
装置の性能を左右する重要な部品となっている。
今回はこのシンチレータの材料と製品展開について紹介する。
16:25～16:50 PET用単結晶シンチレーター  日立化成株式会社 石橋 浩之
医療画像診断装置PETのγ線検出器に用いられる単結晶シンチレータについて述べる。
初期のPETでは高密度なBGO単結晶シンチレータが用いられたが、現在のPETではLSO、LYSO、LGSOなどの
Lu系希土類珪酸塩単結晶シンチレータが主に用いられている。これらのシンチレータは、時間分解能に優れ
TOF-PETに採用されている。
PET及び単結晶シンチレータに関する今後の展望についても概観する。

　

第64回研究会 平成26年7月18日(金) 蔵前会館 (東京都大岡山駅前)
講演会 「導電性酸化物薄膜の構造評価と新しいディスプレイ応用」
13:00～13:15 総会 　 　
13:15～14:05 X線回折装置を用いた薄膜材料の評価 株式会社リガク 小林　信太郎
X線回折装置を用いた薄膜材料の評価方法として、回折法による結晶性の評価や
反射率法による膜厚の評価などについて紹介する。
14:05～14:55 放射光Ｘ線回折を用いた結晶性薄膜の構造評価 物質・材料研究機構 坂田 修身
長距離秩序がある表面、薄膜、ナノ構造をシンクロトロンX線回折を用いて評価した実績を中心に紹介する。
結晶とはみなされないナノ構造や薄膜の近ー中距離の構造評価についてもふれる予定である。
14:55～15:25 休憩
15:25～16:10 アモルファスIGZOの分析評価 トピックス （株）東レリサーチセンター 井上 敬子
アモルファスIGZOの分析トピックスとして、構造、欠陥評価を中心にご紹介いたし ます。
16:10～16:50 先端ディスプレイ関連技術 東京工業大学 神谷利夫
2014年6月に開催されたDisplay Week 2014の会議報告を中心に、
フレキシブルディスプレイ、量子ドットディスプレイ、MEMSディスプレイを含む先端ディスプレイ技術について解説する

　

第63回研究会 平成26年4月18日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「チュートリアル： TCOの基礎」
　本チュートリアルでは、２０１４年３月発売予定の
「透明導電膜の技術 改訂第３版 （オーム社）」を
テキストとして使用します。

　１６６委員会会員および、本チュートリアルの参加者には割引販売をいたします。
　　　研究会会場での直接購入： 5,500円 (税込) (定価 6,480円(税込))
　
　通常、学振研究会への参加は会員のみに限定されていますが、
本チュートリアルでは、下記要領で一般参加者も募集します。

申し込み方法： こちらの申込書に必要事項をご記入の上、神谷利夫 (tkamiya@msl.titech.ac.jp) までお送りください。　

一般参加者 参加費： ２０，０００円／名 （「透明導電膜の技術 改訂第３版」を含む）
一般参加者 参加費： １８，０００円／名 （「透明導電膜の技術 改訂第３版」を含まない）
学生参加者 参加費： 　５，０００円／名 （「透明導電膜の技術 改訂第３版」を含まない）

企業会員： 同一会員企業から、５名あるいは「透明導電膜の技術 改定第３版」購入数の
　　　　　　　人数まで参加無料
　
13:00～13:05 はじめに 東京工業大学 神谷 利夫
13:05～13:50 透明導電性酸化物の基礎物性 九州工業大学 植田 和茂
透明導電膜の技術 第３版 3章の内容に沿って、 
TCOの基礎物性について説明する。
　 時間調整 　 　
14:00～14:45 TCOの欠陥とドーピング 物質・材料研究機構 大橋 直樹
不定比性や不純物の導入による導電性の付与を中心に，酸化物中の電荷補償現象について述べる
14:45～15:30 休憩
15:30～16:15 TCOの理論計算 京都大学 大場 史康
透明導電膜の技術 第３版 3.7章の内容に沿って、 
TCOの物性について理論計算により得られる知見を述べる。
　 時間調整 　 　
16:25～17:10 薄膜の応力評価方法と応力誘起現象 大阪府立大学 藤村 紀文
薄膜の内部応力の解析方法を固体力学の基礎から講義する。
また、その評価方法と応力に起因して生じる現象についても概観する。
17:10～
(質問がなくなったら終了
 17:40までには終了)		 総合質問・議論 東工大 神谷 利夫
事前に寄せられた質問、講義中に回答のなかった件について回答をするとともに、
今回の講義内容に限らず、透明導電体全般に関わる質問を受け付ける。

　

第62回研究会 平成26年1月31日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「TCO分野の新しい展開と交流」
13:00～13:40 タッチパネル用ITO代替材料の技術動向 Ukai Display Device Institute 鵜飼 育弘
投影型静電容量式タッチパネルの用途拡大に伴い、ITO代替材料が注目されている。
既に、銀ナノワイヤーや金属メッシュ等を用いたタッチパネルが実用化されている。
本講演では、ITOの課題と新規材料としてのナノワイヤ、金属メッシュ等の特性およびタッチパネルへの応用を概説する。
13:40～14:20 有機 無機ハイブリッド材料の塗布型太陽電池の開発
－ペロブスカイト型高効率太陽電池を中心として－		 桐蔭横浜大学 工学部 宮坂 力
大気下の平易な溶液印刷で作製が可能で、高電圧が支える高効率（10-15％）を特長とする
金属ハライド型ペロブスカイト太陽電池について、その最新の開発動向を紹介し、
ハイブリッド構造にもとづく高効率の電荷移動原理と今後の研究展開の可能性について述べる。
14:20～15:00 エレクトロクロミック技術の最近の展開 産業技術総合研究所 吉村 和記
４０年ほど前から始まったエレクトロクロミック技術の研究だが、最近ようやく調光ガラスとして実用化され、
飛行機や建物で用いられるようになってきた。エレクトロクロミック技術開発の最近の進展について紹介する。
15:00～15:30 休憩
15:30～16:10 Ga系ワイドギャップ酸化物半導体のエピタキシャル成長 東京工業大学 大島 孝仁
β型Ga2O3に代表されるGa系酸化物半導体は，酸化物で最大のバンドギャップ （～5 eV）を有しており、
新しいワイドギャップ料系として注目されていま す。
発表では、その材料系（混晶、準安定相、複合酸化物）の広がりについてエ ピタキシャル薄膜成長を中心に紹介します。
16:10～16:50 透明導電性を示す遷移金属酸化物薄膜 東北大学　原子分子材料科学高等研究機構 一杉 太郎
透明導電性を示す遷移金属酸化物が増えてきました。
TiO2やMo酸化物、Nb酸化物等であり、 ITOなどの従来型透明導電体には見られない特徴を有しています。
本講演では、それら特徴を紹介し、さらに最近見いだされた、 「透明超伝導」現象にも話を広げます。
16:50～17:50 企業委員講演 (5～15分/件) 　 　
株式会社豊田中央研究所　深野 達雄　「会社紹介及び太陽電池における透明導電膜の一般的な課題について（仮題）」 
株式会社シンクロン　　　　 湯原 浩　　 「(株)シンクロンのご案内」
リンテック株式会社　　　　　萩原 佳明  「有機デバイス用封止部材の開発」
ジオマテック株式会社　　　 伊東 孝洋  「会社紹介及び透明導電膜への取り組み（仮題）」
18:00～20:00 新年会 　 　
　

　

第61回研究会 平成25年10月18日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「低温TCOの高伝導度化を目指した結晶化技術」
13:00～13:40 溶液法を用いたTCOのレーザー結晶化 産業技術研究所 土屋 哲男
溶液法を用いた透明導電膜の作製は、低温かつ真空不要でパターニングが可能などの特徴を有する。
本講演では、ITO,SnO2などを中心に 溶液法を用いた、エピタキシャル膜、多結晶膜及び有機基板上の
フレキシブル透明導電膜の作製とその成長機構について報告する。
13:40～14:30 レーザアニール装置と応用 日本製鋼所 岸田和人(寺尾 勝廣、)、小林 直之
ＪＳＷ日本製鋼所は低温ポリシリコンＴＦＴ型ＦＰＤの製造ラインに用いられるエキシマ・レーザ・アニーリング・システム（ＥＬＡ）を製造販売し、量産用システムとして数多くの実績を持ちます。本講演では最新のレーザアニール装置の紹介と結晶化等の応用事例について説明致します。
14:30～15:10 薄膜トランジスタにおけるSiの結晶化技術 龍谷大学 木村 睦
多結晶Si薄膜トランジスタは、液晶ディスプレイ・有機ELディスプレイのキーデバイ スとして、広く実用化されている。
本講演では、まず、エキシマレーザー結晶化をは じめとするレーザー結晶化・固相結晶化・金属誘起横方向結晶化・高速熱アニール結晶化などを概説する。
また、こうして得られた多結晶Si膜の膜質を、トラップ密度の観点から解析する。
さらに、レーザー結晶化のプロセスシミュレーション・結晶化膜の回路設計についても言及する。
15:10～15:40 休憩
15:40～16:20 Opportunity for 0.5 nm EOT gate dielectric film technology 東京大学 鳥海 明
　
16:20～17:00 AOSの結晶化技術 東京工業大学 神谷 利夫 
　現在実用化されている酸化物半導体薄膜はアモルファス膜(AOS)が使われている。TCOでは多結晶ITO、SnO2、ZnOが主であるが、a-IZOは低温で可視光透過率が高いこと、表面平坦性に優れることから新しい用途を開拓している。一方で、タッチパネル用TCOでは低温で高伝導度のTCOが必要とされることから、低温でアモルファス膜を形成した後に結晶化するなどの工夫がされている。
　本講演ではまず、Siおよび酸化物薄膜の結晶性評価の方法について簡単に総括する。その後、AOSを中心に、どのような方法で結晶成長が試みられているか、どのような条件で結晶化が起こりやすくなるか、特性はどのように変わるかについて紹介する。

　

第60回研究会 平成25年7月19日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「透明酸化物導電体・半導体の基礎」
13:00～13:50 チュートリアル： 透明導電膜 青山学院大学 重里 有三
オーム社「透明導電膜の技術」をテキストに、透明導電膜に関する初学者向けチュートリアルを開催します
13:50～14:20 チュートリアル： TCOの物性は理論計算でどこまで理解できるか 東京工業大学 神谷 利夫
前のチュートリアルを受け、量子計算の視点からTCOの基礎物性について説明する。最初に、結晶構造、バンド構造や光学物性がどの程度の信頼性で計算できるかを説明する。その後、実験だけではわからないこと、結論を出しにくいことについて、どのように理論計算が役に立つか、実例をもとに説明する。
14:20～15:00 太陽電池に要求されるTCO 独立行政法人 産業技術総合研究所
環境・エネルギー分野研究企画室 企画主幹
(兼務)太陽光発電工学研究センター		 鯉田 崇
太陽電池に要求されるTCO特性について紹介する。Ｓｉ系太陽電池を例にTCO窓電 極の構造・電気・光学特性が太陽電池特性に与える影響を説明する
15:00～15:30 休憩
15:30～16:10 4k-UHD OLED-TV実現のためのパネル／回路設計 九州大学 服部 励治
大型OLED-TVが満たすべきパネル仕様は、いきなり対角55inch以上で2k4kの解像度と なる。酸化物TFTは移動度において十分にこの仕様を満たすことができるが、構造的 には現在、主流であるボトム・ゲート構造はゲート遅延を考えるうえで不向きであ る。ここでは酸化物TFTで駆動する大型OLED-TVを実現するためのパネル構造とネガティブVthシフトを補償するピクセル回路について解説する。
16:10～16:50 酸化物TFT駆動有機EL用電子注入層物質： アモルファスC12A7エレクトライド 東京工業大学 細野 秀雄
有機ELをn型の酸化物TFTを用いて駆動する際の構造は下部に電子注入層を形成するのが好ましく、LUMOレベルが高い有機電子輸送層とカソードの間に、低い仕事関数を持つ電子注入層を挿入することがキーとなる。本講演では、スパッタリングなどの方法により室温で成膜ができる12CaO・7Al2O3 (C12A7) エレクトライドのアモルファス薄膜について報告する。得られた薄膜は透明であり、電子濃度は～1021 cm-3、仕事関数は3.1 eVであり、参照構造有機ELのAl/LiFカソードよりも動作電圧が低くなった。

　

第59回研究会 平成25年5月13日～15日 早稲田大学
国際会議　TOEO8　http://conf.msl.titech.ac.jp/Conference3/TOEO8/wiki/

第58回研究会 平成25年1月25日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「In系TCOの低温形成へ向けて」
13:00～13:40 タッチパネルの現状と展望 Ukai Display Device Institute 鵜飼 育弘 
タッチパネルの種類と動作原理を概説。今話題の投影型静電容量式TPの種類と代表的な製造方法をのべる。
iPhone5に採用されたIn-Cell 型タッチパネルについても紹介する。
さらに、タッチパネル用ITOおよびITO代替材料についても触れる。
13:40～14:20 ITO、IZO、AZO薄膜の 仕事関数と電気特性、光学特性 青山学院大学 賈　軍軍、重里 有三
14:20～14:50 プラスチックフィルム上ITO薄膜の機能設計に向けて 日東電工株式会社 待永 広宣 
14:50～15:20 休憩
15:20～15:50 超薄板フレキシブルガラス向け真空ロールコーティング (株)神戸製鋼所 機械事業部門 開発センター 商品開発部 
兼）産業機械事業部 高機能商品部 営業室		 吉田栄治、碇賀充、玉垣浩
ロール状に巻けるフレキシブルガラスの供給がガラス各社より開始されており、神戸製鋼所ではこの基材に対する真空ロール成膜装置の開発に取り組んでいる。その状況を報告する。
15:50～16:20

　

 タッチパネル用ITOターゲット 東ソー株式会社 東京研究所 伊藤 謙一
円筒ターゲットは、円筒内部に磁石を配し、ターゲット材を回転させながら使用さ れる。高使用効率、低ノジュール、安定成膜などの特性を有し、ロールtoロール成 膜へ適用するメリットが大きい。本講演ではITO円筒ターゲットを中心にその特徴 を紹介する。
16:20～17:00 分光エリプソメトリーによる薄膜物性評価 株式会社 堀場製作所 ナバトバ‐ガバイン　ナタリア
分光エリプソメトリーは単層膜から多層膜まで、膜厚や光学定数のみならず、 均一性、導電性、結晶化率、組成、光学バンドギャップ、光学異方性等の物性評価を 非破壊で行うことができ、様々な材料の評価に用いられております。 本講演では原理、解析方法およびTCOの応用例についてご説明します。
17:00～17:40 In-Ga-Zn-O系薄膜のアニール効果と結晶化のその場観察 東京工業大学 神谷 利夫、野村 研二、細野 秀雄
アモルファスIn-Ga-Zn-O (a-IGZO)は、室温で作製しても10 cm2/Vsを超える移動度の薄膜トランジスタを容易に作製できる。一方、均質性、安定性を確保するには後熱処理が必要で、一般に300~400oCが最適温度となる。
本講演では、電気特性・分光エリプソメトリーのその場観察を含む構造・光学物性評価とTFT特性の関係について、後熱処理が与える影響について報告する。また、製膜条件・膜構造と結晶化温度の関係について述べ、結晶化温度の低温化の指針を議論する。
18:00～　 新年会

　

第57回研究会 平成24年10月19日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
講演会 「ワイドギャップ・透明 新半導体デバイス最前線」
13:00～13:40 マイクロ波プラズマCVDによるグラフェンのロールtoロール合成 産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター 山田 貴壽, 石原正統, 長谷川雅考
13:40～14:20 LEDによる照明技術の進展とそれを支える周辺技術
－進化し続けるLED証明－ 		東芝ライテック 別所 誠
14:20～15:00 β-Ga2O3、AlNの結晶成長と応用 物質・材料研究機構
早稲田大学		 島村 清史, E.G. Villora, 一ノ瀬 昇
15:00～15:20 休憩
15:20～15:50 Ga2O3のMBE成長とパワーデバイス応用 タムラ製作所
情報通信研究機構
JST さきがけ
光波
物質・材料研究機構		 佐々木公平, 東脇正高, 倉又朗人, 増井建和, ガルシアビジョラ, 島村清史, 山腰茂伸
15:50～16:30 SiCパワーデバイスの開発と応用 三菱電機株式会社　先端技術総合研究所　ＳｉＣデバイス開発センター 今泉 昌之

　

第56回研究会 平成24年7月13日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
13：00～13：10 委員総会
講演会 「先端センサ技術と材料」
13:10～13:50 ブレインマシンインタフェース用デバイス技術の現状と課題 情報通信研究機構 鈴木隆文
13:50～14:30 非冷却赤外線センサ 立命館大学 理工学部 木股 雅章
14:30～15:10 極薄板ガラス 日本電気硝子 液晶板ガラス事業部 ＴＦＴ成形部 第三成形課 山崎 康夫
15:10～15:30 休憩
15:30～16:10 フレキシブルセンサのバイオ医療機器応用 東京大学 工学系研究科 染谷 隆夫、関谷 毅
16:10～16:50 酸化物半導体TFTのフレキシブルディスプレイへの応用 ＮＨＫ放送技術研究所 表示・機能素子研究部 中田 充

　

第55回研究会 平成24年4月27日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
13：00～13：10 臨時委員総会
 ・ 新委員長・副委員長の承認
講演会 「新しい透明機能材料のアイデアと応用」　
13：10～13：50 新しい透明導電体：新たな胎動 東京工業大学 細野 秀雄, 溝口　拓
13：50～14：30 ワイドギャップ材料の探索とその特性評価
 ～ NIMS の近年の研究から ～ 		独立行政法人 物質・材料研究機構 大橋 直樹,  島村 清史,  谷口 尚, 　渡邉 賢司,  坂口 勲, 大垣 武,  菱田 俊一,  北村 健二, 羽田 肇
14：30～15：10 大気圧金属酸化物薄膜作製技術「ミストCVD法」と その応用展開
 「a-IGZO/AlOx構造を有する酸化物TFTの大気圧形成」 		高知工科大学 川原村 敏幸, 古田 守
15：10～15：30 休憩
15：30～16：10 ワイドギャップ半導体酸化ガリウムの基本特性と応用 1京都大学工学研究科
2情報通信研究機構
3株式会社タムラ製作所
4株式会社光波
5東京工業大学理工学研究科		 藤田 静雄1, 東脇 正高2, 佐々木 公平3, 倉又 朗人3, 増井 建和4, 山腰 茂伸3, 大島 孝仁5, 大友 明5
16：10～16：50 ZnO/Cu2Oヘテロ接合太陽電池の高効率化 金沢工業大学 南 内嗣, 西 祐希, 宮田 俊弘

　

第54回研究会 平成24年1月27日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：透明酸化物材料の新展開 　 　
私たちは今何をすればよいのか－小試論－ 川副フロンティアテクノロジー(株)、当委員会初代委員長 川副 博司
酸化物半導体TFTを用いたフレキシブルディスプレイ NHK放送技術研究所 佐藤 弘人
有機単結晶を用いたデバイス 大阪大学 竹谷 純一
CVD合成にいよるグラフェン透明導電膜 ソニー株式会社 小林 俊之
酸化物半導体の溶液成長と太陽電池応用 豊橋技術科学大学 伊崎 昌信
薄膜シリコン太陽電池用スパッタプロセス開発 株式会社アルバック 高橋 明久
大気圧プラズマプロセスとそのエッティング応用 積水化学工業株式会社 湯浅 基和
酸化物半導体TFTの最近の話題 Ukai Display Device Institute 鵜飼 育弘

　

第53回研究会 平成23年11月4日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：太陽電池に関する最新の研究 　 　
3.11後の原子力・エネルギー政策の方向性 環境エネルギー政策研究所 飯田 哲也
球状シリコン太陽電池の開発状況 ㈱クリーンベンチャー21 室園 幹男
次世代の太陽光発電-集光型太陽光発電システム- 宮崎大学 西岡 賢祐
CdTe多結晶薄膜太陽電池の現状と課題 木更津工業高等専門学校 岡本 保
太陽光発電の現状と将来展望 産業技術総合研究所 近藤 道雄

　

第52回研究会 平成23年7月22日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：次世代ディスプレイと照明 　 　
照明用有機ELパネルの現状と将来 国立大学法人山形大学 城戸 淳二
次世代照明技術としての有機EL技術の現状 パナソニック電工株式会社 菰田 卓哉
巻き取り可能な有機TFT駆動有機ELディスプレイ ソニー株式会社 勝原真央
透明アモルファス酸化物半導体と電子ペーパーへの適用 凸版株式会社 伊藤 学
Recent progress of new display development in AUO AU Optronics 杉浦 規生

　

第51回研究会 平成23年1月28日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：元素問題に関する最新のトピックス 　 　
レアメタルの現状とリサイクルの問題点～インジウムのリサイクルなどを例に～ 東京大学 岡部 徹
喫緊の課題としての元素戦略 （独）物質・材料研究機構 原田 幸明
ガラス鏡面研磨における酸化セリウム使用量低減技術 立命館大学 谷 泰弘
レアメタルのリサイクルの社会システムと技術 東北大学 中村 崇
我が国のレアメタル需要構造／中国における希土類政策の歴史（仮） 三菱リサーチ＆コンサルティング(株) 清水 孝太郎

　

第50回研究会 平成22年10月29日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：スパッタ成膜装置、並びにバリア膜の最新の展開 　 　
大型スパッタ成膜装置及び各種透明酸化物への展開 株式会社アルバック 清田 淳也　
バリアフィルムの現状とガラス代替への課題 東洋紡績株式会社 江畑 崇
巻取式成膜プロセスとその応用例 凸版印刷株式会社 清川 和利
粘土を主成分とするガスバリア材料の開発 独立行政法人産業技術総合研究所 蛯名 武雄
次世代半導体デバイス用スパッタリング技術 キヤノンアネルバ株式会社 中川 隆史

　

第49回研究会 平成22年7月30日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：ナノマテリアルの最新のトッピクス（1） 　 　
カーボンナノチューブとグラフェンの基礎物性と応用 大阪大学 松本 和彦
ナノ炭素系材料の基礎と応用：カーボンナノチューブ、グラフェン 青山学院大学 春山 純志
プラズマＣＶＤによるグラフェンの低温合成 独立行政法人産業技術総合研究所 長谷川 雅考
炭素系物質およびグラフェンの電荷とスピン注入 東北大学 谷垣 勝己
SiCナノ表面上のグラフェン形成と電子物性 九州大学 田中 悟

　

第48回研究会 平成22年4月9日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：高効率太陽電池の研究開発最前線 　 　
太陽電池開発の現状と産総研の産業化戦略 独立行政法人産業技術総合研究所 増田 淳
高効率量子ドット太陽電池の研究動向 東京大学 岡田 至崇
CIGS太陽電池の技術開発動向 青山学院大学 中田 時夫
半導体量子ドットの分光増感機能と太陽電池への応用 電気通信大学 豊田 太郎

第47回研究会 平成22年1月29日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：脱インジウム透明導電膜の研究開発最前線 　 　
酸化亜鉛透明導電膜：学術上の課題と解決策、応用上の課題と解決の見通し 高知工科大学 山本 哲也
ZnO系透明導電膜研究開発の最前線 金沢工業大学 宮田 俊弘
ＤＣマグネトロンスパッタ法による低抵抗酸化亜鉛透明導電膜の探索 株式会社日立製作所 今西 泰雄
二酸化チタン系透明導電材料 東京大学/KAST 長谷川 哲也
CNT透明導電膜の開発動向 株式会社タッチパネル研究所   長谷 伊通

第46回研究会 平成21年11月20日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：電子ペーパーの最新の技術動向 　 　
電子ペーパーの狙いと開発・応用動向 東海大学 面谷 信
透明酸化物半導体の電子ペーパーへの応用 凸版印刷株式会社 伊藤 学
電子ペーパーの色の見えを考える 千葉大学 矢口 博久
フルカラー電子ペーパー用微粒子の設計 山形大学 川口 正剛

　

第45回研究会 平成21年7月17日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：熱電材料の新展開とデータベース 　 　
進化する熱電材料 早稲田大学 寺崎 一郎
熱電変換コバルト酸化物の結晶化学 北海道大学 本橋 輝樹
変調構造のある熱電半導体 東北大学 梶谷 剛
分散型熱物性データベースの展開～材料とユーザーを結ぶ情報ハブ～ (独)産業技術総合研究所）   山下 雄一郎
SrTiO3の熱電特性 名古屋大学 太田 裕道

第44回研究会 平成21年1月30日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：成膜プロセス 　 　
ナノインプリント 大阪府立大学 平井　義彦  
酸化物ナノシート積層による機能材料 独立行政法人物質・材料研究機構 長田　実  
Fe2O3-Ga2O3系薄膜の光学特性制御 株式会社日立製作所 山本　浩貴  
フランホーファ研究所の最先端成膜技術 フランホーファ電子ビームプラズマ研究所
株式会社サーフテックトランスナショナル		 鈴木　巧一
パネル用装置とその技術紹介（仮） キヤノンアネルバ株式会社 中村　昇

　

第43回研究会 平成20年11月21日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ： 　 　
Oxide TFTs for Large-size AMOLED TV Application Samsung Electronics Co., LTD Mu-Gyeom Kim
ITO代替ZnO系透明導電膜研究開発の現状 金沢工業大学 南　内嗣
酸化亜鉛透明導電膜：構造と制御、および特性–特性を決めている要因はなにか？- 高知工科大学 山本　哲也
非晶質酸化物半導体ＴＦＴの進展（仮題） キヤノン株式会社 雲見　日出也

　

第42回研究会 平成20年7月25日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：酸化物界面、有機無機界面、ヘテロ接合 　 　
酸化物誘電体へテロ接合の電気的特性とデバイス応用 大阪大学 奥山　雅則
ZnO系エピタキシャル薄膜の高品質化とヘテロ接合 産業技術総合研究所 柴田　肇
遷移金属酸化物の界面特性と電子状態 産業技術総合研究所 澤　彰仁
透明ナノ界面の制御とデバイス応用 東北大学　金属材料研究所 大友　明
有機ー金属界面における電子輸送現象の第一原理的解析
～Atomistix ToolKitを用いて～ 		サイバネットシステム㈱ 臼井　信志

　

第41回研究会 平成20年4月18日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：有機エレクトロニクス：市場を狙う次世代技術２ 　 　
有機EL素子の高効率化と長寿命化 山形大学 城戸　淳二
 Highly Stable Ga2O3-In2O3-ZnO Thin-Film Transistors for AM-OLED Application Samsung Advanced Institute of Technology Young Soo Park
有機EL素子における発光特性の制御 NHK放送技術研究所 時任　静士
有機半導体を用いたフレキシブルメモリの開発 産業技術総合研究所 鎌田　俊英
有機EL素子のための透明導電膜－ボトム／トップエミション、透明有機EL素子に用いるTCOs－ 東京工芸大学 内田　孝幸
＜Latest News＞鉄系超伝導体LaOFePn:新しい高温超電導体の鉱脈 東工大フロンティア研究センター 細野　秀雄

　

第40回研究会 平成20年2月1日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：有機エレクトロニクス：市場を狙う次世代技術 　 　
ペンタセンの可溶化プロセス 旭化成 南方　尚
有機ＥＬ照明パネル連続製膜技術 三菱重工 小林　俊郎
インクジェット法による有機TFTの作製 セイコーエプソン株式会社 川瀬　健夫
有機TFTのフレキシブルディスプレイ応用 ソニー 野本　和正
白色有機ELの照明への展開 松下電工 菰田　卓哉

　

第39回研究会 平成19年11月9日(金) アイビーホール青学会館 (東京都渋谷区)
テーマ：太陽電池技術に関する最新の話題2 　 　
色素増感型太陽電池(DSC)モジュールの開発 豊田中央研究所 樋口　和夫
薄膜シリコン系フレキシブル太陽電池の現状と今後 富士電機システムズ 高野　章弘
全固体色素増感関連（仮題) 静岡大学 昆野　照則
エコイノベーション～量子ドット太陽電池の可能性～ 筑波大学 岡田　至崇

　

第38回研究会 平成19年7月20日 　
テーマ：太陽電池技術に関する最新の話題 　 　
「概論　-産業界の動向と技術開発の方向性-」 東京工業大学 小長井　誠
｢薄膜系太陽電池の現状と展望｣ 産業技術総合研究所 
太陽光発電センター長		 近藤　道雄
｢CIS系薄膜太陽電池における透明導電膜への要求｣ 昭和シェル石油株式会社 櫛屋　勝巳
｢薄膜太陽電池におけるLight Management｣ 株式会社カネカ 山本憲治・市川　満
｢量子ドット型太陽電池の可能性｣ 大阪大学 橘　泰宏
｢低赤外吸収・高移動度透明導電膜の探索｣ 産業技術総合研究所 鯉田　崇

　

第37回研究会 平成19年1月19日 　
テーマ：In化合物の問題点とIn代替透明導電材料の開発 　 　
「In化合物の健康影響とその予防・対策」 九州大学 大学院医学研究院 
環境医学分野		 田中昭代
「PLD法で作製したAZO、GZOの最も低比抵抗な透明導電膜」 大阪産業大学 工学部 
電子情報通信工学科		 鈴木雅雄
「酸化亜鉛薄膜のウェットエッチング」 三菱ガス化学株式会社 東京研究所
エレクトロニックケミカルズR&Dセンター		 丸山岳人
「学術創成研究費”ナノ構造と活性アニオンを
利用した透明酸化物の機能開拓" 中間報告」 		東京工業大学 
フロンティア創造共同研究センター		 細野秀雄
「二酸化チタン透明導電体のガラス上への展開」 東京大学 大学院理学系研究科
化学専攻		 一杉太郎

　

第36回研究会 平成18年11月24日 　
テーマ：欠陥評価と欠陥生成の抑制 　 　
「イントロダクトリー：酸化物中の欠陥」 物質・材料研究機構 大橋直樹
｢放射光を用いたワイドギャップ半導体の評価｣ 物質・材料研究機構 小林啓介
｢SIMSを用いた微量分析と欠陥評価｣ 物質・材料研究機構 坂口　勲
｢シリコン、SiO2中の欠陥構造｣ NTT物性科学基礎研究所 植松真司
｢クリーンルーム技術｣ ㈱日立プラントテクノロジー 平田順太
｢純水技術｣ 日本ミリポア㈱ 佐藤大輔

　

第35回研究会 平成18年7月21日 　
テーマ：バイオ関連材料と技術の最近の話題 　 　
「総論：セラミックスを利用した再生医学」 （独）産業技術総合研究所 大串　始
「バイオデバイスにおけるバイオインターフェス」 東京大学 高井まどか
「酸化チタン・有機高分子複合人工骨の開発」 （財）ファインセラミックスセンター 橋本雅美
「歯科材料におけるセラミックスへの期待と展望」 九州大学 石井邦夫
「セラミックスのバイオマテリアルへの応用－人工骨・肝臓、他－」 ペンタックス㈱ 中島武彦
「バイオトランジスタによる生体分子認識反応の電気的検出」 （独）物質・材料研究機構 坂田利弥・宮原裕二

　

第34回研究会 平成18年4月14日 　
テーマ：フレキシブルエレクトロニクスと透明酸化物 　 　
「企画説明：透明酸化物の最近の話題」 東京工業大学 
フロンティア創造共同研究センター		 細野　秀雄
「フレキシブルエレクトロニクスとその課題」 セイコーエプソン株式会社 下田　達也
「アモルファス透明酸化物半導体の電子ペーパーへの応用」 凸版印刷株式会社 総合研究所 伊藤　学
「透明導電性フィルムの技術課題と今後の展望」 東洋紡績株式会社 フィルム開発研究所 大谷　寿幸
「ITO代替ターゲットへの要求性能」 株式会社日鉱金属（旧日鉱マテリアルズ） 矢作　政隆

　

第33回研究会 平成18年2月3日 　
テーマ：透明導電膜に関する最近のトピックス 　 　
「BAYTRONR ITOの代替材としてPEDT/PSSの最新開発状況」 スタルク㈱ 電子・光学材料部 橋本定待
「ZnO系透明導電膜の成膜技術と物性」 京都大学　国際融合創造センター 藤田静雄
「アモルファス透明導電膜・IZO薄膜に関する最新の研究開発成果」 出光興産㈱ 中央研究所 矢野公規
「RFスパッタ法によるアモルファス酸化物チャネルTFTの作製」 キャノン㈱ 先端技術研究本部 田　透
「TFT液晶ディスプレイの市場・技術動向と透明導電膜への期待」 シャープ㈱ モバイル液晶事業本部 片岡義晴

　

第32回研究会 平成17年11月18日 　
テーマ：燃料電池によるエネルギーシステム 　 　
「燃料電池の開発課題試論
－近未来のエネルギーシステムにおける役割－」		 川副フロンティアテクノロジー㈱ 川副博司
「燃料電池車と現状と課題」 日産自動車㈱ 大島宗彦
「携帯機器用燃料電池開発の現状」 ㈱東芝 上野文雄
「固体電解質燃料電池：プロトン伝導体」 （独）産業技術総合研究所 本間　格
「固体電解質燃料電池：酸素イオン伝導体」 九州大学 石原達巳
「酸化物系材料を用いる電気化学キャパシタ」 信州大学 杉本　渉・高須芳雄

　

第31回研究会 平成17年7月29日 　
テーマ：フラットパネルディスプレイの最前線 　 　
「フラットパネル（平面）ディスプレイ技術の全般および
液晶ディスプレイの進歩と課題」　		 山口東京理科大学 液晶研究所 小林 駿介
「プラズマディスプレイの現状と今後の動向について」 ㈱富士通研究所 篠田 傅
「有機ELの現状と今後の動向」 ＮＨＫ 放送技術研究所 材料基盤技術  
「FEDの現状と今後の動向」 静岡大学 電子工学研究所 中本 正幸

　

第30回研究会 平成17年1月27日 　
テーマ：省In、脱In透明導電膜の研究開発の最前線 　 　
「ZnO系透明導電膜の諸特性と成膜技術との関係」 金沢工業大学 工学部 電気電気工学科 南 内嗣
「既存生産ラインを意識した省In、脱Inへの取り組み
～SnO2増量ITOとZAOの薄膜特性～」 		東ソー㈱　東京研究所 内海 健太郎
「プラスチック上の高性能透明トランジスタ：
その発想から実現まで」 		JST ERATO-SORST・東京工業大学 野村 研二・神谷 利夫・細野 秀雄
「イオンプレーティング法による酸化亜鉛透明導電膜の
物性とその課題」 		高知工科大学 フロンティア工学教室
電子・光システム工学科		 山本 哲也
「薄膜で広がる物質開発：Nb:TiO2透明伝導体と
低次元系銅酸化物」 		（財）神奈川科学技術アカデミー
ナノ光磁気デバイスプロジェクト		 古林 寛

　

第29回研究会
共催：2004早稲田大学材料技術研究所オープンセミナー		 平成16年11月12日 　
テーマ：単結晶開発の最前線 　 　
「GaN系LEDの開発とその応用」 豊田合成㈱ 東門 領一
「GaN系材料の開発動向」 日亜化学工業㈱ 森田 大介
「次世代発光素子の研究」 早稲田大学 島村 清史
「LN・LT単結晶の開発動向」 ㈱山寿セラミックス 佐橋 家隆
「Rare earth orthosilicate scintillating materials」 フロリダ中央大学
Crystal Photonics Inc.		 Bruce H.T. Chai
「CZ法による大型CaF2単結晶の育成と光学特性」 　㈱トクヤマ 乾 洋治
「大口径・高品質SiC単結晶基板の開発」 新日本製鐵㈱ 大谷 昇
「GaNバルク単結晶基板の開発」 日立電線㈱ 大島 祐一

　

第28回研究会 平成16年8月2日 　
テーマ：光触媒に関する研究・開発の最新の展開（３） 　 　
「酸化チタン光触媒の反応機構に関する最近の話題」 長岡技術科学大学 化学系 野坂 篤子・野坂 芳雄
「色素増感太陽電池の凝固体化と性能向上のための因子
　－界面制御によるチタニアの電子挙動から
　　 ゲル電解質のイオン拡散まで－」 		九州工業大学 大学院
生命体工学研究科		 早瀬 修二
「水分解のための光触媒材料の開発」 東京理科大学 理学部 工藤 昭彦
「酸化チタン光触媒およびその複合材料の新しい応用」 東京大学生産技術研究所 立間　徹

　

第27回研究会 平成16年4月9日 　
テーマ：単結晶材料の今後の展開 　 　
「SiC単結晶基板の開発動向」 新日本製鐵㈱　技術開発本部
先端技術研究所		 大谷 昇
「GaN高周波パワーデバイスの展開」 ㈱富士通研究所 高速ICテクノロジ研究部 吉川 俊英
「次世代リソグラフィーの状況と今後の展開」 松下電器産業㈱ 半導体社
事業本部プロセス開発センター		 遠藤 政孝・笹子 勝
「酸化物光学結晶の動向」 物質・材料研究機構 物質研究所 北村 健二
「透明セラミックスの開発動向」 電気通信大学 
レーザー新世代研究センター		 植田 憲一

　

第26回研究会 平成16年1月30日 　
テーマ：フレキシブルディスプレイの新展開 　 　
「フレキシブル基板を用いた低温p-Si(LTPS)TFT-LCD」 ソニー㈱ 
マイクロネットワークカンパニー		 鵜飼 育弘
「電子ペーパーのめざす狙いと研究動向」 東海大学 工学部 面谷 信
「有機トランジスタの現状と課題」 千葉大学 工学部 工藤 一浩
「ITO抵抗膜式タッチパネル」 タッチパネル研究所㈱ 三谷 雄二

　

第25回研究会 平成15年10月17日 　
テーマ：電池特集 　 　
「固体酸化物燃料電池の現状」 産業技術総合研究所 山地 克彦
「燃料電池の自動車応用」 日産自動車㈱　総合研究所 有田 政司
「燃料電池の家電応用」 ＮＥＣ 基礎研究所 吉武　努
「色素増感太陽電池の現状」 静岡大学 工学部 金子 正治
「色素増感太陽電池の実用化課題」 フジクラ材料技術研究所 松井 治志

　

第24回研究会 平成15年7月15日 　
テーマ：FEDの最前線 　 　
「FEDの現状」 ㈱東芝　研究開発センター 中本 正幸
「カーボンナノチューブを用いたFED」 三重大学 工学部 斉藤 弥八
「ダイヤモンド深紫外光発光」 東京ガス㈱ 総合研究所 堀内 賢治
「ダイヤモンドp-n接合の電気特性とデバイス応用」 物質材料研究機構 物質研究所 小泉　聡

　

第23回研究会 平成15年 　
テーマ： 　 　
細野透明電子プロジェクトの成果概要 科学技術振興事業団　細野プロジェクト 平野 正浩
透明LaCuOS1-xSexエピタキシャル薄膜のP型縮退伝導と室温励起子発光 科学技術振興事業団　細野プロジェクト 平松 秀典
ナノポーラス結晶C12A7とアニオンマニピュレーション 科学技術振興事業団　細野プロジェクト 林 克郎
シリカガラスと真空紫外レーザーの相互作用 科学技術振興事業団　細野プロジェクト 梶原 浩一 
深紫外光伝送用光ファイバー 昭和電線電纜(株)　　 大登 正敬

　

第22回研究会 平成15年 　
テーマ： 　 　
酸化チタン薄膜光触媒の高機能化と可視光化 大阪府立大学大学院 安保　正一
可視光線応答型酸化チタン光触媒の開発 （株）住友化学工業 基礎化学品研究所 酒谷　能彰
高活性酸化チタン光触媒の設計と調製 北海道大学触媒化学研究センター 大谷　文章
光触媒の医学、医療、医療環境への応用とその課題について 横浜市立大学医学部 窪田　吉信

　

第21回研究会 平成14年 　
テーマ： 　 　
可視光動作型の窒素ドープ酸化チタン光触媒の開発 （株）豊田中央研究所 森川 健志
水と光でクリーンエネルギーを造る夢技術ー可視光水分解触媒の開発ー 独立行政法人 産業技術総合研究所 
光反応制御研究センター		 荒川 裕則
光触媒コーティングによるスマートウィンドウの開発 青山学院大学　理工学部 重里 有三

　

第20回研究会 平成14年 　
テーマ： 　 　
連携と融合をどう進める－具体策の提案－ 産業技術総合研究所 田中　一宜
光ＩＴと酸化物光学結晶のこれから （株）信光社　技術開発本部 宮澤　信太郎

　

第19回研究会 平成14年 　
テーマ： 　 　
シリコンカーバイド（SiC）半導体によるパワー素子研究開発の現状 電子技術総合研究所 荒井　和雄
多機能酸化亜鉛エピタキシャル構造を用いた短波長モノリシック光集積回路を目指して 大阪府立大学大学院　工学研究科 藤村　紀文
GaN系LEDの開発とその応用 豊田合成株式会社　オプトE事業部 柴田　直樹
ダイヤモンドpn接合の電気特性と発光 物質・材料研究機構　物質研究所 小泉　聡


　

第18回研究会 　 　
テーマ： 　 　
太陽光発電の現状と将来展望：技術、経済性、市場、政策 太陽光発電技術研究組合 森　信昭
高効率CIGS太陽電池の進歩と将来動向 青山学院大学　理工学部 中田　時夫
超効率多接合構造太陽電池の研究開発の現状と将来展望 豊田工業大学　大学院工学研究科 山口　真史
薄膜シリコン太陽電池の研究開発（透明導電膜のトピックス） 鐘淵化学工業(株) 山本　憲治
新型HIT構造（アモルファス/結晶シリコンハイブリッド）太陽電池の技術開発と応用展開 三洋電機(株)　ニューマテリアル研究所 津毛　定司

　

第17回研究会 　 　
テーマ： 　 　
ポンプ用LDの現状と今後の発展 古河電工(株)　ファイテル製品事業部 柴田　光義
AWG技術の最近の動向 NTTエレクトロニクス(株)　フォトニクス事業本部 中原　基博
DWDMシステムを支える光ファイバ/光部品技術 フジクラ(株)　光電子技術研究所 和田　朗
アイソレータの現状と将来 トーキン(株)　新ディバイス事業推進本部 土屋　治彦

　

第16回研究会 　 　
テーマ： 　 　
有機EL素子における発光特性の制御 豊田中央研究所 時任　静士
有機EL材料とディスプレイの現状と今後の展開
三洋電機（株）ニューマテリアル研究所		 高橋　寿一
ポリマー光回路光源としての有機EL素子 大阪大学　先端科学技術共同研究センター 大森　裕
有機EL素子の現状と将来 山形大学　大学院理工学研究科 城戸　淳二


第15回研究会 　 　
テーマ： 　 　
ERATO　「透明電子活性プロジェクト」 東京工業大学応用セラミックス研究所 細野 秀雄
弗化物(CaF2,CdF2)・酸化物(ZnO)ヘテロ構造を用いたシリコン基板上量子効果ディバイス 東工大総合理工学研究科 渡辺　正裕
ＣｕＩｎＳｅ２系太陽電池とワイドギャップ半導体 電子技術総合研究所光技術部 仁木　栄
レートニュース 「MRS Workshopの報告」  　 川副　博司


第14回研究会 　 　
テーマ： 　 　
パルススパッタ法及び超微粒子応用ウエット法による透明酸化膜の作成 サーフテックトランスナショナル(株)  鈴木 巧一
新規ラジカル源を用いたCVD法によるSiO2成膜 アネルバ(株)　プロセス開発研究所  石橋 啓次
ECRスパッタ法の新しい展開 エヌ・ティ・ティ・アフティ(株)　ＥＣＲ事業部  天沢 敬生
プラスチックフィルム上光学薄膜の成膜 ソニー(株)　ＣＮＣ・ＣＴＤＣ－４Ｇｐ 河嶋 利孝

第13回研究会 　 　
テーマ： 　 　
固体の電磁波誘起透明化現象 東芝（株）　研究開発センター　新機能材料・デバイスラボラトリー 市村 厚一
無機EL材料 金沢工業大学 電子デバイスシステム研究所 南 内嗣
半導体レーザの最近の動向 三菱化学〔株〕情報電子カンパニー　オプトエレクトロニクス事業部 後藤 秀樹
レートニュース 
ａ）超平坦基板上にエピタキシャル成長させた極低抵抗ＩＴＯ薄膜 
ｂ）ＳｒＣｕ２Ｏ２/ＺｎＯ　透明ＰＮ接合の形成と電流注入発光 		 科技団ＥＲＡＴＯ「透明電子活性」プロジェクト 太田 裕道, 折田 政寛, 細野 秀雄

 

第12回研究会 　 　
テーマ： 　 　
透明導電膜の液相からの低温合成 慶應義塾大学　理工学部応用化学科 今井 宏明
溶液コーティングによるITO薄膜の作製とITOの固溶域 岐阜大学 工学部応用精密化学科 大矢 豊
導電性酸化物粉体 三井金属鉱業（株） ケミカル事業部金属粉事業担当部開発室 柏木 淳一
スプレー熱分解（SPD）法によるSnO2透明導電膜の形成 静岡大学 工学部物質工学科 金子 正治

 

第11回研究会 　 　
テーマ： 　 　
ワイドギャップ半導体の同時ドーピング法による価電子制御と第一原理からの ：予言と実験 大阪大学　産業科学研究所　量子機能科学大部門 吉田 博
ワイドギャップ半導体の発光ダイナミクス 京都大学大学院　工学研究科　電子物性工学専攻 川上 養一、藤田 茂夫
クラスターアシスト蒸着法による低抵抗ITO薄膜の形成 京都大学大学院　工学研究科　付属イオン工学実験施設 松尾 二郎
相変化光メモリーの将来と新材料 日立製作所　中央研究所　ストレージ研究部 寺尾 元康

　

第10回研究会 　 　
テーマ： 　 　
Development of low resistance electrode for STN-LCD Asahi Glass  °Y. Aoshima, M. Miyazaki, K. Sato, Y. Akao, S. Takaki and K. Adachi
ITO thin film prepared with low resistivity ITO target TOSOH °K. Utsumi, Y. Nagawaki, H. Teraoka and S. Kurosawa
Magnetron sputtering of transparent and conducting oxides: Relation between the electronic and optical properties and the sputtering parameters Hahn-Meitner-Institut, Germany Klaus Ellmer
Zn-co-doped ITO films prepared by dc magnetron sputtering  Kanazawa Inst. Tech. °T. Miyata, T. Yamamoto and T. Minami
Effect of microstructures on nanocrystallite nucleation and growth in amorphous indium tin oxide films sputter-deposited with H2O addition Hitachi °M. Ando, E. Nishimura, K. Onisawa and T. Minemura
Study on the ITO film growth on polymer substrate Aoyama Gakuin Univ. & *Sony °R. Koshi-ishi, Y. Shigesato, *T. Kawashima and *J. Ohsako
Hetero-epitaxial growth of In2O3 on YSZ (100) surface by pulsed laser deposition HOYA & *Tokyo Inst. Tech. °H. Ohta, H. Tanji, H. Toratani, M. Orita, H.Kawazoe and *H. Hosono
O2 cluster ion assisted deposition for ultra high quality ITO films Kyoto Univ., *Osaka National Res. Inst. & **Sanyo Vacuum °J.Matsuo, *K. Murai, *S. Tamura, *M. Kiuchi, *N. Umesaki, **S. Tabata and I. Yamada
Thermally stable 1W output 1480nm-band high-power pumping unit using eight-wavelength PLC multiplexer Furukawa Electric °K.Tanaka
23 dBm output double-band optical amplifier with simple configuration Fujikura °R. Sugimoto, T. Sakai, T. Aizawa, A. Wada and R. Yamauchi
Thermal decay property of long period fiber grating Sumitomo Electric Industries °S. Ishikawa
Properties of ZnO Oklahoma State Univ., USA Thomas C. Collins
Cathode luminescence characterization of single crystalline ZnO Tohoku Univ., *Akita National College of Tech., **Hakusui-Kagaku & ***Tokyo Inst. Tech. °T. Sekiguchi, S. Miyashita, K. Obara, T. Shishido, *N. Sakagami, **T.Yamamoto and ***N. Ohashi
Surface structure of ZnO single crystals analyzed by coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy Waseda Univ., *Taiyo Yuden, **Tokyo Inst. Tech. & ***National Inst. Res. Inorg. Mater. °H. Maki, N. Ichinose, *S. Sekiguchi, **N. Ohashi, ***H. Haneda and ***J. Tanaka
Fabrication of the acceptor doped ZnO thin films by ion beam sputtering with radical irradiation Tokyo Inst. Tech. °T. Ohgaki, N. Ohashi and T. Tsurumi
Ga-doped ZnO (GZO) films deposited by dc magnetron sputtering Asahi Glass °M. Fukawa, A. Mitsui and K. Sato
Chemical vapor deposition of transparent conductors Harvard Univ., USA Ray Gordon
Properties of amorphous Ge doped In2O3 thin films Kobe Steel °M. Mizuno and T. Miyamoto
Properties of Electroconductive Zinc Antimonate Nissan Chemical Industries & *Kanazawa Inst. Tech. °O.Tanegashima and *N. Kikuchi

　

第9回研究会 　 　
テーマ： 　 　
大気環境の化学と浄化技術 工業技術院資源環境技術総合研究所 竹内 浩士
光半導体による電気化学的太陽電池 （株）シグナスエンタープライズ 村澤 貞夫
光による固体表面濡れ制御とその応用  東京大学先端化学技術研究センター 渡部 俊也
水を光分解するための超分子構造を有する無機材料の開発 東京工業大学資源化学研究所 堂免 一成

　

第8回研究会 　 　
テーマ： 　 　
A model for the source of the 2.7eV luminescent band in silica Vanderbilt University Robert A. Weeks
Properties of self-trapped holes in amorphous silicon dioxide : known and notional Naval Research Laboratory David L. Griscom
Optical properties of oxygen excess-related intrinsic defects in amorphous silicon dioxide University of Latvia Linards Skuja
Defect engineerig in amorphous materials - significance and opportunity - Tokyo Institute of Technology Hideo Hosono
　　　
第7回研究会 　 　
テーマ： 　 　
無機蛍光材料 東京工芸大学 山元 明
蛍光材料 （株）住田光学ガラス 沢登 成人
有機ELディスプレイ 信州大学 安達 千波矢
透明電磁波吸収材料 青山学院大学 橋本 修
　
　　　　
第6回研究会 　 　
テーマ： 　 　
ＤＣマグネトロンスパッタ法によるＩＴＯ膜の低抵抗化 日本真空技術（株）千葉超材料研究所 清田 淳也
新型カソードを用いたITO成膜 （株）シンクロン 技術部 山崎 雅史、和田 荘一、伊東 孝
透明導電膜（ITO膜）の新しい成膜装置 住友重機械工業（株） 総合技術研究所 酒見 俊之
Ｉｎ－Ｚｎ酸化物のＴＦＴ用途への適用可能性 出光興産（株） 新規事業推進室 井上 一吉
　　　　　
第5回研究会 　 　
テーマ： 　 　
ZnOの物性と応用ー総論ー 早稲田大学理工学部 一ノ瀬 昇
ZnO系透明導電膜 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所 南 内嗣
酸化亜鉛単結晶の育成とその電気的・光学的性質 東京工業大学工学部 大橋 直樹
ZnOバリスタ （株）富士電機総合研究所 向江 和郎、田中 顕紀
　
　
　　　　　　　　　　　　
第4回研究会 　 　
テーマ： 　 　
薄膜とは何か 金沢工大　高度材料科学研究開発センター 金原 粲
最近の光ファイバ通信システム、光ファイバおよび光部品の動向　　イントロダクトリ （株）フジクラ 真田 和夫
160Gbit（8×20Gbit）ソリトンWDMシステム実験 KDD　研究所 鈴木 正敏
広帯域光ファイバ増幅器 NTT　光エレクトロニクス研究所 山田 誠
温度無依存型利得等価用ファイバグレーティング （株）フジクラ　光電子技術研究所 島 研介
高機能性光ファイバ 住友電工（株）　横浜研究所 大西 正志
　
　　　　　　　　　　　
第3回研究会 　 　
テーマ： 　 　
AM－LCD用ガラス基板の特性 コーニングジャパン（株）静岡テクニカルセンター 安間 元哉、西原 浩
LiNbO3結晶導波路型光デバイス－擬似位相整合非線形光学波長変換デバイス－ 大阪大学大学院工学研究科 栖原 敏明
ｐ型伝導性ZnO膜の作製 山梨大学工学部 峰岸 一典、春日 正伸
ｐ型伝導性透明酸化物－その化学設計と応用展望－」  東京工業大学応用セラミックス研究所 川副 博司
　
　　　　　　　　
第2回研究会 　 　
テーマ： 　 　
ITO薄膜の構造と電気特性 青山学院大学理工学部 重里 有三
ITOスパッタリング成膜過程と抵抵抗化プロセス アネルバ（株）　開発研究所 石橋 啓次

　

第1回研究会 　 　
テーマ： 　 　
光通信技術を支える材料技術ー現状と展望 古河電工（株） 技師長　内田 直也
材料開発と研究者の創造性 前東北大学総長 西澤 潤一